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Estudo de processos de transporte eletrônico em dispositivos a base de semicondutores orgânicos (2004)

  • Authors:
  • Autor USP: CASTRO, FERNANDO ARAUJO DE - IFSC
  • Unidade: IFSC
  • Sigla do Departamento: FCM
  • Subjects: RESSONÂNCIA MAGNÉTICA; SEMICONDUTORES
  • Language: Português
  • Abstract: O objetivo deste trabalho foi de estudar processos de transporte eletrônico em dispositivos a base de semicondutores orgânicos através de técnicas avançadas, como ressonância magnética detectada eletricamente (RMDE) e espectroscopia de impedância elétrica em corrente alternada. Além destas, medidas de ressonância paramagnética eletrônica (RPE) convencional também foram realizadas de forma a complementar as medidas de RMDE. Os dispositivos e materiais estudados foram: (hole-only e PLED) de MEH-PPV, polianilina e OLED multicamadas de Al'q IND.3' e 'ALFA'NPD. A técnica de RMDE mede a variação de condutividade da amostra na condição de ressonância magnética, permitindo relacionar processos microscópicos com os seus efeitos nos processos de transporte eletrônico. Os estudos de RPE e RMDE em polianilina mostraram uma transição entre os tipos de spin observados em função da temperatura. Os resultados obtidos indicam que o sinal de RPE se deve principalmente a estados de superfície, enquanto a técnica de RMDE permite observarmos também estados do volume, dependendo da forma de preparação dos dispositivos e dos parâmetros utilizados nas medidas. O sinal de RMDE foi atribuído ao hopping de pólarons intercadeias poliméricas. Nos dispositivos de MEH-PPV, o sinal de RMDE apresenta duas componentes, uma foi atribuída à fusão de pólarons negativos para formar bipólarons negativos e a outra foi atribuída à fusão de pólarons positivos. A deficiência na emissão de luz de alguns dosPLEDs estudados foi atribuída ao desbalanceamento de injeção de cargas, que pode ser observado pela diferença de intensidade entre as componentes do sinal. Nos OLEDs a base de Al'q IND.3', medidas de espectroscopia de impedância elétrica em função da voltagem dc (Vdc) mostraram um acúmulo de cargas nas interfaces internas do dispositivo, em baixas tensões. Entretanto, para valores mais altos de 'V IND.dc', quando começa o processo de recombinação, ) foi observad0 um fenômeno pouco estudado na literatura, conhecido como "capacitância negativa". Possíveis abordagens a este problema foram propostas
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 23.03.2004
  • Acesso à fonte
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    • ABNT

      CASTRO, Fernando Araújo de; GRAEFF, Carlos Frederico de Oliveira. Estudo de processos de transporte eletrônico em dispositivos a base de semicondutores orgânicos. 2004.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2004. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-19092013-104205/pt-br.php >.
    • APA

      Castro, F. A. de, & Graeff, C. F. de O. (2004). Estudo de processos de transporte eletrônico em dispositivos a base de semicondutores orgânicos. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-19092013-104205/pt-br.php
    • NLM

      Castro FA de, Graeff CF de O. Estudo de processos de transporte eletrônico em dispositivos a base de semicondutores orgânicos [Internet]. 2004 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-19092013-104205/pt-br.php
    • Vancouver

      Castro FA de, Graeff CF de O. Estudo de processos de transporte eletrônico em dispositivos a base de semicondutores orgânicos [Internet]. 2004 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-19092013-104205/pt-br.php


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