Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers (2004)
- Authors:
- USP affiliated authors: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidades: IFSC; IF
- Subjects: SEMICONDUTORES; FERROMAGNETISMO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat-3
-
ABNT
LIMA, Ivan C. da Cunha et al. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. 2004, Anais.. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. In Resumos. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. -
NLM
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures
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