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Caracterização de filmes finos de nitreto de carbono produzidos por RF magnetron sputtering reativo (2002)

  • Authors:
  • Autor USP: PINTO, RICARDO ALEXANDER CASTRO - IF
  • Unidade: IF
  • Sigla do Departamento: FNC
  • Subjects: FILMES FINOS; ESPECTROSCOPIA DE RAIO X; ESPECTROSCOPIA INFRAVERMELHA
  • Language: Português
  • Abstract: Os filmes finos de nitreto de carbono ('CN IND.X') foram produzidos, usando-se o método de RF magnetron sputtering reativo, sobre substratos de Si(100) mantidos à temperatura de 90'GRAUS'C. Os parâmetros de deposição foram o fluxo relativo do gás 'N IND.2' em relação ao gás Ar de 50, 60, 70, 80, 90 e 100% e a pressão de trabalho na câmara de sputtering de 0,4, 1,3 e 2,0 Pa. A variação da taxa de deposição em função do fluxo do gás 'N IND.2' ou da pressão de trabalho pode ser explicada considerando-se que a eficiência da formação de filme de nitreto de carbono por íon de nitrogênio é maior que aquela por íon de 'Ar POT.+'. A variação da tensão DC de polarização do plasma causou a variação da taxa de deposição, afetando o fluxo e a energia de íons incidentes no alvo de grafite. A espectroscopia de fotoelétrons induzidos por raios-X (XPS) e a espectroscopia do infravermelho por transformada de Fourier (FTIR) foram usadas, respectivamente, para estudar os estados de ligação química de C, N e O, e a composição de cada filme, e para avaliar os estados de vibração molecular nos filmes. O estudo sobre as análises de deconvolução dos espectros de XPS e FTIR indicou a presença de dois estados para as ligações de C-C e C-N nos espectros de XPS de C 1s, quatro estados de XPS de N 1s e um pico associado à ligação de C=N nos espectros de FTIR; houve certas correlações entre eles. Os valores da dureza Knoop obtidos dos filmes foram superiores aos valores relatados naliteratura; sua maxima ocorreu quando a razão de composição N/C foi máxima (N/C = 0,37, n fluxo relativo do gás 'N IND.2' de 80% e na pressão de trabalh de o,4 Pa), em que a fração de ligação de C=N em relação a todas as ligações entre C e N, também, é maxima
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 18.10.2002

  • How to cite
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    • ABNT

      PINTO, Ricardo Alexander Castro; MATSUOKA, Masao. Caracterização de filmes finos de nitreto de carbono produzidos por RF magnetron sputtering reativo. 2002.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002.
    • APA

      Pinto, R. A. C., & Matsuoka, M. (2002). Caracterização de filmes finos de nitreto de carbono produzidos por RF magnetron sputtering reativo. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Pinto RAC, Matsuoka M. Caracterização de filmes finos de nitreto de carbono produzidos por RF magnetron sputtering reativo. 2002 ;
    • Vancouver

      Pinto RAC, Matsuoka M. Caracterização de filmes finos de nitreto de carbono produzidos por RF magnetron sputtering reativo. 2002 ;

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