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Incorporação de Er em Sn'O IND.2'obtido via sol-gel: uma análise de xerogéis e filmes finos (2002)

  • Authors:
  • USP affiliated author: MORAIS, EVANDRO AUGUSTO DE - ENGMAT
  • School: ENGMAT
  • Sigla do Departamento: FCM
  • Subjects: ÓPTICA; MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
  • Language: Português
  • Abstract: decaimento da condutividade. Além destas técnicas, foram empregadas ainda absorção óptica, a qual mostrou transparência acima de 80% no visível; reflexão especular de raios X, indicando espessura de 6,3nm/camada, rugosidade de 1,55nm e 39% de porosidade. Usando medida de resistência e corrente-voltagem em função da temperatura, observou-se que os modelos de emissão Schottky e Poole-Frenkel são obedecidos para baixos e altos campos elétricos, ) respectivamenteForam produzidos xerogéis e filmes finos de Sn'O IND. 2'dopados com Er e codopados com Yb pelo processo sol-gel, sendo usada a técnica de molhamento ("dip-coating") para a produção de filmes finos. Propriedades ópticas, estruturais e elétricas são analisadas neste material, destacando-se espectros de emissão e excitação em xerogéis de Sn'O IND. 2':Er e Sn'O IND. 2':Er, Yb, os quais revelam algumas peculiaridades a respeito da incorporação de Er na matriz Sn'O IND. 2'. São detectadas duas famílias de Er em Sn'O IND. 2', na primeira E'r POT.3+'entra substituindo S'n POT.4+' na estrutura cassiterita, e na segunda fica segregado na superfície das partículas. Processos de transferência de energia de Y'b POT.3+'para E'r POT.3+'são efetivos nestas amostras. Medidas de difração de raios X mostram um aumento do tamanho do cristalito à medida que se aumenta a temperatura de tratamento térmico. O oposto ocorre quando o dopante é introduzido, pois um aumento na concentração de Er proporciona uma diminuição no tamanho do cristalito. Usando experimentos de caracterização elétrica, é identificada a ação aceitadora de Er em Sn'O IND.2' tipo-n, pois se observou um aumento de até 5 ordens de grandeza na resistividade de filmes dopados com Er comparados à amostras não-dopadas. Resultados de decaimento da condutividade fotoexcitada em filmes finos, também dão indícios deste cárater aceitador, já que a remoção da iluminação com a linha 266nm (quarto harmônico de um laser Nd:YAG), induz a um
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 31.07.2002
  • Online source access
    How to cite
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    • ABNT

      MORAIS, Evandro Augusto de; SCALVI, Luis Vicente de Andrade. Incorporação de Er em Sn'O IND.2'obtido via sol-gel: uma análise de xerogéis e filmes finos. 2002.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2002. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-25102005-103032/ >.
    • APA

      Morais, E. A. de, & Scalvi, L. V. de A. (2002). Incorporação de Er em Sn'O IND.2'obtido via sol-gel: uma análise de xerogéis e filmes finos. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-25102005-103032/
    • NLM

      Morais EA de, Scalvi LV de A. Incorporação de Er em Sn'O IND.2'obtido via sol-gel: uma análise de xerogéis e filmes finos [Internet]. 2002 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-25102005-103032/
    • Vancouver

      Morais EA de, Scalvi LV de A. Incorporação de Er em Sn'O IND.2'obtido via sol-gel: uma análise de xerogéis e filmes finos [Internet]. 2002 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-25102005-103032/

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