Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) (2002)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.1494456
- Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA; MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: The Institute
- Publisher place: New York
- Date published: 2002
- Source:
- Título do periódico: Applied Physics Letters
- ISSN: 0003-6951
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 81, n. 3, p. 481-483, 2002
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MIOTTO, R; FERRAZ, A. C. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110). Applied Physics Letters, New York, The Institute, v. 81, n. 3, p. 481-483, 2002. Disponível em: < http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000003000481000001&idtype=cvips > DOI: 10.1063/1.1494456. -
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110). Applied Physics Letters, 81( 3), 481-483. doi:10.1063/1.1494456 -
NLM
Miotto R, Ferraz AC. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 3): 481-483.Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000003000481000001&idtype=cvips -
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 3): 481-483.Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000003000481000001&idtype=cvips - First principles calculation of substitutional oxygen and oxygen-hydrogen complex in gallium arsenide
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1494456 (Fonte: oaDOI API)
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