Photoluminescence of Sm and Er doped amorphous AIN (2002)
- Authors:
- USP affiliated authors: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidades: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; FILMES FINOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference title: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
RIBEIRO, Cristina T. M.; ALVAREZ, Fernando; ZANATTA, Antonio Ricardo. Photoluminescence of Sm and Er doped amorphous AIN. Anais.. São Paulo: SBF, 2002. -
APA
Ribeiro, C. T. M., Alvarez, F., & Zanatta, A. R. (2002). Photoluminescence of Sm and Er doped amorphous AIN. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Ribeiro CTM, Alvarez F, Zanatta AR. Photoluminescence of Sm and Er doped amorphous AIN. Resumos. 2002 ; -
Vancouver
Ribeiro CTM, Alvarez F, Zanatta AR. Photoluminescence of Sm and Er doped amorphous AIN. Resumos. 2002 ; - Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs
- Optical study of thermally annealed Er-doped hydrogenated a-Si films
- AIN aloys prepared by reactive radio frequency sputtering
- Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs
- Microcrystalline silicon with high electron field-effect mobility deposited at '230 GRAUS'
- Photoelectron spectroscopic study of amoprhous GaAsN films
- Optoelectronic properties of Er-doped amorphous GaAsN films
- Espectroscopia óptica de vidros fluoroindatos dopados com íons 'Er POT.3+' e 'Yb POT.3+'
- Comment on "Ion-assisted pulsed laser deposition of aluminum nitride thin films" [J. Appl. Phys. 87 1540 (2000)]
- Determinação numérica da espessura e das constantes ópticas de filmes de silício amorfo dopados com níquel através de espectroscopia de transmissão
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
