Tese

Efeitos de tamanho finito e de interfaces em super-redes InP/'In IND. 0.53' 'Ga IND. 0.47'As (2001)

• Authors:
  • Hanamoto, Luciana Kazumi
  • Henriques, André Bohomoletz (Orientador)
• Autor USP: HANAMOTO, LUCIANA KAZUMI - IF
• Unidade: IF
• Sigla do Departamento: FMT
• Subjects: SEMICONDUTORES; MATÉRIA CONDENSADA
• Language: Português
• Abstract: Neste trabalho, estudamos as propriedades eletrônicas e estruturais de super-redes InP/'In IND. 0.53' 'Ga IND. 0.47'As dopadas fortemente com Si (densidade equivalente no bulk superior a 4.4 x '10 POT. 18''cm POT. -3'). O espectro de Fourier das oscilações de Shubnikov-de Haas apresenta um dubleto característico de elétrons que populam uma minibanda de energia, assim como uma freqüência de oscilação associada a elétrons confinados em uma camada superficial bidimensional (elétrons de Tamm). Verificamos que, para descrever o espectro de energia dos elétrons da minibanda, o modelo de Kronig-Penney é em geral suficiente porém, para descrever adequadamente os estados de Tamm é necessário recorrer a um cálculo auto-consistente completo. A boa resolução do dubleto associado aos elétrons que populam a minibanda de energia permitiu extrair as mobilidades quânticas dos elétrons associados aos hodógrafos extremais ("cintura" e "pescoço") da mini-superfície de Fermi. O tratamento de dados foi efetuado com a utilização de procedimentos especialmente desenvolvidos, que apresentam a vantagem de não necessitar da utilização de filtros de Fourier sofisticados. A detecção do estado de Tamm nas oscilações de Shubnikov-de Haas é inétida por se tratar de estados de Tamm degenerados. Por ser a mobilidade quântica dos elétrons de Tamm quase duas vezes maior do que a mesma mobilidade para os elétrons da minibanda, em campos magnéticos fracos as oscilações de Shubnikov-de Haas são dominadaspelos elétrons de Tamm, apesar da quantidade de elétrons de Tamm corresponder a apenas em torno de 10% do total de portadores livres em nossas amostras. As super-redes InP/'In IND. 0.53' 'Ga IND. 0.47'As:Si apresentam, também, grande redução de portadores livres com a diminuição do período das super-redes. A perda de portadores livres é de 60% quando o período é diminuído em 20%. Esta redução está correlacionada com a quantidade de átomos de ) dopantes que recai na camada interfacial de In'As IND. X' 'P IND. 1-X' que se forma quando InP é depositado sobre 'In IND. 0.53' 'Ga IND. 0.47'As. Um estudo de um conjunto de 8 amostras nos permitiu estimar que a espessura da camada interfacial é de aproximadamente 20 'ANGSTRONS'. Os dados experimentais indicam que os átomos de Si que recaem nas camadas interfaciais, ao invés de formarem doadores rasos, formam centros profundos com energia de ativação superior a 50 meV
• Imprenta:
  • Publisher place: São Paulo
  • Date published: 2001
• Data da defesa: 13.12.2001

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How to cite

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• ABNT

  HANAMOTO, Luciana Kazumi. Efeitos de tamanho finito e de interfaces em super-redes InP/'In IND. 0.53' 'Ga IND. 0.47'As. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. . Acesso em: 24 set. 2024.

• APA

  Hanamoto, L. K. (2001). Efeitos de tamanho finito e de interfaces em super-redes InP/'In IND. 0.53' 'Ga IND. 0.47'As (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

• NLM

  Hanamoto LK. Efeitos de tamanho finito e de interfaces em super-redes InP/'In IND. 0.53' 'Ga IND. 0.47'As. 2001 ;[citado 2024 set. 24 ]

• Vancouver

  Hanamoto LK. Efeitos de tamanho finito e de interfaces em super-redes InP/'In IND. 0.53' 'Ga IND. 0.47'As. 2001 ;[citado 2024 set. 24 ]

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