Desenvolvimento de um processo litográfico de camada simples com razões de aspecto elevadas (2001)
- Authors:
- Autor USP: SANTOS, ANA PAULA MOUSINHO DOS - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PTC
- Assunto: LITOGRAFIA (PROCESSOS DE IMPRESSÃO)
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho foi desenvolvido um processo litográfico de camada simples empregando as técnicas de litografia óptica, sililação e revelação seca para resistes espessos. Para isso, foi utilizado o resiste espesso óptico AR-P 322 (positivo) da All Resist GmbH. Com esse resiste podemos obter camadas de 22 mm de espessura. A primeira etapa do trabalho consistiu no estudo experimental comparativo e pré-análise do processo de sililação para resistes espessos. Nesta etapa, foi feito um estudo da quantificação da incorporação de silício no resiste AR-P 322 (novolac), usando uma solução química aquecida para a sililação (70 % de xileno, 25% de PGMEA e 5% de HMCTS). A temperatura de aquecimento da solução foi variada de 40 a '80 GRAUS' C, o tempo de imersão da amostra na solução foi variado de 1 a 4 minutos. Através de análises feitas por FTIR, RBS e SEM, determinou-se a melhor condição de sililação, que foi para uma temperatura de 40'GRAUS'C e tempo de imersão de 2 minutos. Para a geração rápida de estruturas que poderiam ser empregadas em sistemas MEMS, foi feito o estudo desse resiste óptico em litografia por feixe de elétrons. Através de experimentos de exposição, verificou-se a sensibilidade desse resiste à exposição por feixe de elétrons e com o levantamento da curva de contraste determinou-se que a dose necessária para expor toda a camada de resiste espesso, para as condições de processo empregadas, é de 150'MICROMETROS'C/'cm POT. 2'. No entanto, não se obteve um contraste de sililação das regiões não expostas para as regiões expostas que resultasse em estruturas bem definidas. Numa segunda etapa desenvolveu-se e otimizou-se o processo de corrosão por plasma de resiste espesso, com equipamentos de corrosão por plasma nas configurações tipo RIE e ICP. ) Com esses equipamentos e utilizando como gás de processo o oxigênio, pôde-se determinar a condição de maior anisotropia das estruturas finais obtidas e a taxa de corrosão. Determinou-se que com o equipamento tipo RIE as taxas eram maiores (de até 1,2 'MICROMETRO'/min) e os perfis gerados com essa configuração eram bem mais verticais comparados com a configuração tipo ICP, para a faixa de pressão analisada (de 30 mTorr a 120 mTorr). Para o estudo da etapa de corrosão por plasma do resiste espesso AR-P 322, utilizou-se um processo litográfico de tripla camada. Neste processo, foi possível revelar estruturas com razões de aspecto de 7:1 e dimensões mínimas que puderam ser resolvidas de 2,5 'MICROMETROS'. A terceira etapa foi associar a etapa de sililação e a etapa de corrosão por plasma para se obter um processo litográfico de camada simples empregando a exposição óptica (com dose de exposição en torno de 1200 mJ/'cm POT. 2'). Com essa etapa pode-se obter estruturas com elevadas razões de aspecto. Como resultados da integração das etapasde sililação, corrosão por plasma e exposição óptica, alcançando os objetivos inicialmente propostos e conseguimos obter um processo litográfico com razão de aspecto de 10:1 para resistes com 22 'MICROMETROS' de espessura, como proposto originalmente, com dimensões mínimas que podem ser resolvidas da ordem de 2 'MICROMETROS'.
- Imprenta:
- Data da defesa: 19.02.2001
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ABNT
SANTOS, Ana Paula Mousinho dos. Desenvolvimento de um processo litográfico de camada simples com razões de aspecto elevadas. 2001. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27092024-075839/pt-br.php. Acesso em: 05 fev. 2026. -
APA
Santos, A. P. M. dos. (2001). Desenvolvimento de um processo litográfico de camada simples com razões de aspecto elevadas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27092024-075839/pt-br.php -
NLM
Santos APM dos. Desenvolvimento de um processo litográfico de camada simples com razões de aspecto elevadas [Internet]. 2001 ;[citado 2026 fev. 05 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27092024-075839/pt-br.php -
Vancouver
Santos APM dos. Desenvolvimento de um processo litográfico de camada simples com razões de aspecto elevadas [Internet]. 2001 ;[citado 2026 fev. 05 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27092024-075839/pt-br.php
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