Electrical characterizaton of pure 'Bi IND.12'Ti'O IND.20' crystal and doped with vanadium and gallium (2000)
- Authors:
- Autor USP: HERNANDES, ANTONIO CARLOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Resumos
- Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais
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ABNT
LANFREDI, S e CARVALHO, Jesiel Freitas e HERNANDES, Antônio Carlos. Electrical characterizaton of pure 'Bi IND.12'Ti'O IND.20' crystal and doped with vanadium and gallium. 2000, Anais.. São Pedro: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2000. . Acesso em: 02 out. 2024. -
APA
Lanfredi, S., Carvalho, J. F., & Hernandes, A. C. (2000). Electrical characterizaton of pure 'Bi IND.12'Ti'O IND.20' crystal and doped with vanadium and gallium. In Resumos. São Pedro: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. -
NLM
Lanfredi S, Carvalho JF, Hernandes AC. Electrical characterizaton of pure 'Bi IND.12'Ti'O IND.20' crystal and doped with vanadium and gallium. Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 02 ] -
Vancouver
Lanfredi S, Carvalho JF, Hernandes AC. Electrical characterizaton of pure 'Bi IND.12'Ti'O IND.20' crystal and doped with vanadium and gallium. Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 02 ] - Crescimento, caracterização e aplicação de monocristais de tgs em detetores de radiação na região de infravermelho
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