Adsorption process, atomic geometry, electronic structure and stability of Si(001)/Te surface (2000)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0039-6028(99)01248-0
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Surface Science
- ISSN: 0039-6028
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 449, n. 1-3, p. 180-190, 2000
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MIWA, R H e FERRAZ, A. C. Adsorption process, atomic geometry, electronic structure and stability of Si(001)/Te surface. Surface Science, v. 449, n. 1-3, p. 180-190, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)01248-0. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (2000). Adsorption process, atomic geometry, electronic structure and stability of Si(001)/Te surface. Surface Science, 449( 1-3), 180-190. doi:10.1016/s0039-6028(99)01248-0 -
NLM
Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption process, atomic geometry, electronic structure and stability of Si(001)/Te surface [Internet]. Surface Science. 2000 ; 449( 1-3): 180-190.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)01248-0 -
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption process, atomic geometry, electronic structure and stability of Si(001)/Te surface [Internet]. Surface Science. 2000 ; 449( 1-3): 180-190.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)01248-0 - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0039-6028(99)01248-0 (Fonte: oaDOI API)
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