Contributions of oxygen related defects to the electronic transport in Sn'O IND.2' sol-gel films (2000)
- Authors:
- Scalvi, Luís Vicente de Andrade - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (UNESP)
- Messias, Fábio Rogério
- Vega, Bárbara A. V. - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (UNESP)
- Siu Li, Máximo
- Santilli, C. V. - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (UNESP)
- Pulcinelli, Sandra Helena - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (UNESP)
- Autor USP: LI, MAXIMO SIU - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Johannesburg
- Date published: 2000
- Source:
- Título do periódico: Programme and abstracts
- Conference titles: International Conference on Defects in Insulating Materials
-
ABNT
SCALVI, Luís Vicente de Andrade et al. Contributions of oxygen related defects to the electronic transport in Sn'O IND.2' sol-gel films. 2000, Anais.. Johannesburg: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2000. . Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Scalvi, L. V. de A., Messias, F. R., Vega, B. A. V., Siu Li, M., Santilli, C. V., & Pulcinelli, S. H. (2000). Contributions of oxygen related defects to the electronic transport in Sn'O IND.2' sol-gel films. In Programme and abstracts. Johannesburg: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. -
NLM
Scalvi LV de A, Messias FR, Vega BAV, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Contributions of oxygen related defects to the electronic transport in Sn'O IND.2' sol-gel films. Programme and abstracts. 2000 ;[citado 2024 abr. 26 ] -
Vancouver
Scalvi LV de A, Messias FR, Vega BAV, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Contributions of oxygen related defects to the electronic transport in Sn'O IND.2' sol-gel films. Programme and abstracts. 2000 ;[citado 2024 abr. 26 ] - Protótipo de Dewar com cinco janelas óticas para intervalo de temperatura de 55 K - 400 K
- Construção de laser de centro de cor sintonizável
- Relaxacao dieletrica em cristais mistos de kc'N IND.X': k'BR IND.1-X' 0.5 '<OU ='x''<ou '1.0
- Emissao vibracional do c'N POT.-' Induzido por absorcao do centro f em cristais de kcl impurificado com oc'N POT.-'
- Laser de centro de cor sintonizavel no intervalo de 2.56 'MI' a 2.82 'MI'
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