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Dinamica de plasma e fônon e emissão de radiação terahertz em superfícies de GaAs e telúrio excitadas por pulsos ultracurtos (2000)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: SOUZA, FABRICIO MACEDO DE - IFSC
  • Unidades: IFSC
  • Sigla do Departamento: FFI
  • Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; DIELÉTRICOS; MATÉRIA CONDENSADA
  • Language: Português
  • Abstract: Após a excitação de uma amostra semicondutora por pulso ultracurto, os fotoportadores interagem com a rede excitando modos longitudinais ópticos. Essa interação provoca variações no índice de refração do material, produzindo modulações na resposta óptica do meio (efeito eletro-óptico). Por outro lado, esta dinâmica origina polarizações dependentes do tempo o que gera emissão de radiação terahertz. Experimentos recentes (pump-probe) observaram modulações do campo através de medidas da refletividade resolvidas no tempo. A refletividade e o campo estão relacionados segundo o efeito eletro-óptico. Também resolve-se temporalmente o campo irradiado pela amostra, através de antenas que operam na faixa terahertz. Tanto as medidas eletro-ópticas quanto de emissão terahertz fornecem informações sobre a interação dinâmica do plasma com a rede após a excitação óptica. Nesse trabalho simulamos a interação dinâmica de plasma e fônons em n-GaAs e Telúrio ("bulk") após estes serem excitados por um pulso ultracurto. Utilizamos equações hidrodinâmicas para descrever transporte de cargas e uma equação fenomenológica de oscilador harmônico forçado, para descrever oscilações longitudinais ótpicas da rede. Complementando nossa descrição temos a equação de Poisson, com a qual calculamos o campo gerado pelo plasma e pela polarização da rede semicondutora. Essas equações constituem um sistema de seis equações diferenciais (Quatro parciais) acopladas. Para resolvê-lasutilizamos o método das diferenças finitas. Do cálculo numérico obtemos a evolução temporal do campo elétrico no interior do material. Com esse campo determinamos as frequências de oscilação do sistema e calculamos o campo irradiado. Nossos resultados apresentam acordo qualitativo com os experimentos
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 10.04.2000

  • How to cite
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    • ABNT

      SOUZA, Fabrício Macedo; MENEZES, José Carlos Egues de. Dinamica de plasma e fônon e emissão de radiação terahertz em superfícies de GaAs e telúrio excitadas por pulsos ultracurtos. 2000.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2000. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-18112013-111000/pt-br.php >.
    • APA

      Souza, F. M., & Menezes, J. C. E. de. (2000). Dinamica de plasma e fônon e emissão de radiação terahertz em superfícies de GaAs e telúrio excitadas por pulsos ultracurtos. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-18112013-111000/pt-br.php
    • NLM

      Souza FM, Menezes JCE de. Dinamica de plasma e fônon e emissão de radiação terahertz em superfícies de GaAs e telúrio excitadas por pulsos ultracurtos [Internet]. 2000 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-18112013-111000/pt-br.php
    • Vancouver

      Souza FM, Menezes JCE de. Dinamica de plasma e fônon e emissão de radiação terahertz em superfícies de GaAs e telúrio excitadas por pulsos ultracurtos [Internet]. 2000 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-18112013-111000/pt-br.php

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