Dopant redistribution during the formation of cobal silicide using two thermal stages (1997)
- Authors:
- Autor USP: FURLAN, ROGERIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: REDES DE COMPUTADORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Proceedings
- Conference titles: International VLSI Multilevel Interconnection Conference - VMIC
-
ABNT
SIMÕES, E W; FURLAN, Rogério; SANTIAGO-AVILES, J J. Dopant redistribution during the formation of cobal silicide using two thermal stages. Anais.. Tampa: VMIC, 1997. -
APA
Simões, E. W., Furlan, R., & Santiago-Aviles, J. J. (1997). Dopant redistribution during the formation of cobal silicide using two thermal stages. In Proceedings. Tampa: VMIC. -
NLM
Simões EW, Furlan R, Santiago-Aviles JJ. Dopant redistribution during the formation of cobal silicide using two thermal stages. Proceedings. 1997 ; -
Vancouver
Simões EW, Furlan R, Santiago-Aviles JJ. Dopant redistribution during the formation of cobal silicide using two thermal stages. Proceedings. 1997 ; - Tecnica de insercao de personagens bidimensionais em um cenario tridimensional
- Boron (bf2) influence on cobalt disilicide formation
- A simple silicon based nitric oxide sensor
- Estudo da sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido visando a aplicação em circuitos integrados
- Estudo de dispositivos miniaturizados para controle de escoamento de fluídos
- Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente
- Analysis of microbean deflection due to capillary loading
- Caracteristicas eletricas de juncoes n+ / p e p+ / n com barreiras de titanio
- Development of an electrochemical sensor based on silicon technology. (em CD-Rom)
- Development of a flow microsensor built on silicon
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
