Dopant redistribution during the formation of cobal silicide using two thermal stages (1997)
- Authors:
- Autor USP: FURLAN, ROGERIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: REDES DE COMPUTADORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Proceedings
- Conference titles: International VLSI Multilevel Interconnection Conference - VMIC
-
ABNT
SIMÕES, Eliphas Wagner; FURLAN, Rogério; SANTIAGO-AVILÉS, Jorge Juan. Dopant redistribution during the formation of cobal silicide using two thermal stages. Anais.. Tampa: VMIC, 1997. -
APA
Simões, E. W., Furlan, R., & Santiago-Avilés, J. J. (1997). Dopant redistribution during the formation of cobal silicide using two thermal stages. In Proceedings. Tampa: VMIC. -
NLM
Simões EW, Furlan R, Santiago-Avilés JJ. Dopant redistribution during the formation of cobal silicide using two thermal stages. Proceedings. 1997 ; -
Vancouver
Simões EW, Furlan R, Santiago-Avilés JJ. Dopant redistribution during the formation of cobal silicide using two thermal stages. Proceedings. 1997 ; - Development of an electrochemical sensor based on silicon technology. (em CD-Rom)
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