Tese

Crescimento e propriedades ópticas de cristais de 'Bi IND.12'Ti'O IND.20' puro e com V, Pb e Ce (1999)

• Authors:
  • Carvalho, Jesiel Freitas
  • Hernandes, Antônio Carlos (Orientador)
• Autor USP: CARVALHO, JESIEL FREITAS - ENGMAT
• Unidade: ENGMAT
• Sigla do Departamento: FCM
• Assunto: DIELÉTRICOS
• Language: Português
• Abstract: Um estudo detalhado do 'core' da inversão na forma de interface sólido-líquido e estrias de crescimento em cristais de 'Bi IND.12'Ti'O IND.20' (BTO) preparados pela técnica de puxamento, usando um forno com aquecimento resistivo, foi realizado.Uma rotina foi definida para obter grandes cristais de 'Bi IND.12'Ti'O IND.20' com a qualidade óptica requerida para aplicações holográficas. Os melhores parâmetros de crescimento determinados foram: diâmetro do cristal de 15 nm, razão entre osraios do cristal/cadinho de 0,3 taxa de rotação de 30 rpm, velocidade de puxamento de 0,2 mm/h e ângulo entre a direção de puxamento e a face do cristal menor que 30'GRAUS' para permitir uma transição suave na forma da interface cristal/líquido.Em cada experimento, cristalizamos somente cerca de um terço do volume inicial do líquido. Técnicas de difração de raios-X pelo método do pó, microanálise eletrônica, microscopia óptica, absorção óptica na região visível e infravermelho (FT-IR),resposta espectral de fotocorrente, atividade óptica, coeficiente eletro-óptico, espalhamento Raman e ressonância paramagnética eletrônica (EPR) foram usadas para uma caracterização sistemática dos cristais de BTO nominalmente puros e dopadoscom vanádio (BTO:V). Resultados de espalhamento Raman e infravermelho mostraram, como diferença mais importante entre o BTO e BTO:V, o aparecimento de uma banda, em 767 'cm POT.-1' e em 790'cm POT.-1', atribuida ao grupo '(V'O IND.4') POT.-3'.Medidas de EPR, a20K, sugerem que o estado de valência dos íons vanádio em BTO é 5+. Em amostras de BTO puro, a anisotropia do espectro de EPR a 20K pode estar relacionada a impurezas de 'Fe POT.3+' provenientes do material de partida e apresença do defeito intrínseco ('Bi IND.M POT.3+' + 'h IND.0 POT.+'). Além disso, novos cristais foram crescidos pela introdução de impurezas de Pb e Ce na rede cristalina sillenita. As propriedades ópticas do BTO:Pb e BTO:Ce são ) similares ao do BTO nominalmente puro
• Imprenta:
  • Publisher place: São Carlos
  • Date published: 1999
• Data da defesa: 29.06.1999

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How to cite

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• ABNT

  CARVALHO, Jesiel Freitas. Crescimento e propriedades ópticas de cristais de 'Bi IND.12'Ti'O IND.20' puro e com V, Pb e Ce. 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1999. . Acesso em: 18 set. 2024.

• APA

  Carvalho, J. F. (1999). Crescimento e propriedades ópticas de cristais de 'Bi IND.12'Ti'O IND.20' puro e com V, Pb e Ce (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos.

• NLM

  Carvalho JF. Crescimento e propriedades ópticas de cristais de 'Bi IND.12'Ti'O IND.20' puro e com V, Pb e Ce. 1999 ;[citado 2024 set. 18 ]

• Vancouver

  Carvalho JF. Crescimento e propriedades ópticas de cristais de 'Bi IND.12'Ti'O IND.20' puro e com V, Pb e Ce. 1999 ;[citado 2024 set. 18 ]

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