Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO (1999)
- Authors:
- Autor USP: NOGUEIRA, WILLIAN AURELIO - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Inicialmente são apresentados dados da literatura a respeito de ruptura da rigidez dielétrica em óxidos MOS e também dados experimentais para capacitores construídos em nosso laboratório (LSI) empregando o processo de oxidação térmica rápida (RTO). Especificamente neste trabalho foi desenvolvido um método de determinação da espessura do óxido de porta por capacitor a partir da análise das curvas CxV e IxV na região de Fowler-Nordheim. Este método faz uso da curva In(I/V 2x1/V), cuja inclinação permite a obtenção da espessura do óxido por capacitor. O programa computacional Breakpar foi desenvolvido para extração automática da distribuição de espessuras ao longo de uma dada lâmina de silício de grande área. Observou-se que para espessuras menores que 15nm, o campo máximo de ruptura tende a aumentar, acima dos 13MV/cm enquanto que para espessuras superiores aos 15nm o campo fica aproximadamente estável em torno dos 13 MV/cm. Na sequência, realizamos experimentos de injeção de corrente fixa nos capacitores, tanto a partir da porta como do substrato do capacitor sendo possível determinar os valores de carga para ruptura ('Q IND.bd'). Observou-se o que chamamos de "ruptura parcial" que precede ou não a ruptura definitiva. Por fim, propusemos uma interpretação plausível para a ruptura da rigidez dielétrica em óxidos RTO, especificamente, para os experimentos com rampa de tensão a taxa rápida (0,2V/s)
- Imprenta:
- Data da defesa: 26.02.1999
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ABNT
NOGUEIRA, Willian Aurélio. Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO. 1999. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Nogueira, W. A. (1999). Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Nogueira WA. Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO. 1999 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Nogueira WA. Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO. 1999 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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