Tese

Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO (1999)

• Authors:
  • Nogueira, Willian Aurélio
  • Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
• Autor USP: NOGUEIRA, WILLIAN AURELIO - EP
• Unidade: EP
• Sigla do Departamento: PEE
• Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
• Language: Português
• Abstract: Inicialmente são apresentados dados da literatura a respeito de ruptura da rigidez dielétrica em óxidos MOS e também dados experimentais para capacitores construídos em nosso laboratório (LSI) empregando o processo de oxidação térmica rápida (RTO). Especificamente neste trabalho foi desenvolvido um método de determinação da espessura do óxido de porta por capacitor a partir da análise das curvas CxV e IxV na região de Fowler-Nordheim. Este método faz uso da curva In(I/V 2x1/V), cuja inclinação permite a obtenção da espessura do óxido por capacitor. O programa computacional Breakpar foi desenvolvido para extração automática da distribuição de espessuras ao longo de uma dada lâmina de silício de grande área. Observou-se que para espessuras menores que 15nm, o campo máximo de ruptura tende a aumentar, acima dos 13MV/cm enquanto que para espessuras superiores aos 15nm o campo fica aproximadamente estável em torno dos 13 MV/cm. Na sequência, realizamos experimentos de injeção de corrente fixa nos capacitores, tanto a partir da porta como do substrato do capacitor sendo possível determinar os valores de carga para ruptura ('Q IND.bd'). Observou-se o que chamamos de "ruptura parcial" que precede ou não a ruptura definitiva. Por fim, propusemos uma interpretação plausível para a ruptura da rigidez dielétrica em óxidos RTO, especificamente, para os experimentos com rampa de tensão a taxa rápida (0,2V/s).
• Imprenta:
  • Publisher place: São Paulo
  • Date published: 1999
• Data da defesa: 26.02.1999


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How to cite

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• ABNT

  NOGUEIRA, Willian Aurélio. Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO. 1999. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03102024-114131/pt-br.php. Acesso em: 09 nov. 2024.

• APA

  Nogueira, W. A. (1999). Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03102024-114131/pt-br.php

• NLM

  Nogueira WA. Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO [Internet]. 1999 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03102024-114131/pt-br.php

• Vancouver

  Nogueira WA. Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO [Internet]. 1999 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03102024-114131/pt-br.php

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