Growth and characterization of Hg´I IND.2´, Pb´I IND.2´ and Pb´I IND.2´:Hg´I IND.2´ layered semiconductors (1999)
- Authors:
- USP affiliated authors: GUIMARAES, FRANCISCO EDUARDO GONTIJO - IFSC ; HERNANDES, ANTONIO CARLOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 1999
- Source:
- Título: Materials Research
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.2, n.2, p.75-79, 1999
-
ABNT
MANOEL, E R et al. Growth and characterization of Hg´I IND.2´, Pb´I IND.2´ and Pb´I IND.2´:Hg´I IND.2´ layered semiconductors. Materials Research, v. 2, n. 2, p. 75-79, 1999Tradução . . Disponível em: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fbtext?got=last&pid=S1516-14391999000200006&usr=fbpe&lng=en&seq=1516-1439-003&nrm=iso&sss=1&aut=71981947. Acesso em: 19 nov. 2024. -
APA
Manoel, E. R., Custódio, M. C. C., Guimarães, F. E. G., Bianchi, R. F., & Hernandes, A. C. (1999). Growth and characterization of Hg´I IND.2´, Pb´I IND.2´ and Pb´I IND.2´:Hg´I IND.2´ layered semiconductors. Materials Research, 2( 2), 75-79. Recuperado de http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fbtext?got=last&pid=S1516-14391999000200006&usr=fbpe&lng=en&seq=1516-1439-003&nrm=iso&sss=1&aut=71981947 -
NLM
Manoel ER, Custódio MCC, Guimarães FEG, Bianchi RF, Hernandes AC. Growth and characterization of Hg´I IND.2´, Pb´I IND.2´ and Pb´I IND.2´:Hg´I IND.2´ layered semiconductors [Internet]. Materials Research. 1999 ;2( 2): 75-79.[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fbtext?got=last&pid=S1516-14391999000200006&usr=fbpe&lng=en&seq=1516-1439-003&nrm=iso&sss=1&aut=71981947 -
Vancouver
Manoel ER, Custódio MCC, Guimarães FEG, Bianchi RF, Hernandes AC. Growth and characterization of Hg´I IND.2´, Pb´I IND.2´ and Pb´I IND.2´:Hg´I IND.2´ layered semiconductors [Internet]. Materials Research. 1999 ;2( 2): 75-79.[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fbtext?got=last&pid=S1516-14391999000200006&usr=fbpe&lng=en&seq=1516-1439-003&nrm=iso&sss=1&aut=71981947 - Preparação de ponta de prova de 'LI''NB''O IND.3' para uso em ótica de campo próximo de alta resolução
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