Effect of the gradient temperature on semiconductor devices (1998)
- Authors:
- Autor USP: MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Física
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1998
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
MESSIAS, L G O e MAREGA JÚNIOR, Euclydes. Effect of the gradient temperature on semiconductor devices. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Messias, L. G. O., & Marega Júnior, E. (1998). Effect of the gradient temperature on semiconductor devices. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. -
NLM
Messias LGO, Marega Júnior E. Effect of the gradient temperature on semiconductor devices. Resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Messias LGO, Marega Júnior E. Effect of the gradient temperature on semiconductor devices. Resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Uma proposta curricular para o ensino de mecânica em cursos de licenciatura de matemática e biologia
- Eletronic properties of an aperiodic semiconductor heterostructure
- Estudo das propriedades fotocondutivas de semicondutores do grupo III-V crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular
- Xxv olimpiada internacional de fisica
- Caracterização das propriedades elétricas de junções PN comerciais com a temperatura para uso como sensores térmicos
- Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well
- Processamento de amostras semicondutoras: micro e nanofabricação
- The influence of alloy scattering in the 'Cd IND.1-x''Mn IND.x'Te electron transport
- Webcourse: uma ferramenta hierárquica para criação e gerenciamento automático de cursos na Web
- Hole transport characteristics in pure and doped GaSb
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
