Síntese, crescimento e caracterização de cristais de 'Bi IND. 12''Ti IND. (1-X)''Ga IND. X''O IND. 20' para aplicações em dispositivos optoeletrônicos (1998)
- Authors:
- Autor USP: LOBATO, ARILSON REGES - IFSC
- Unidade: IFSC
- Sigla do Departamento: FCM
- Assunto: DIELÉTRICOS
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho foram realizados a síntese, o crescimento e a caracterização de cristais de 'Bi IND. 12''Ti IND. (1-X)''Ga IND. X''O IND. 20' (BTGaO) para avaliar suas potencialidades tecnológicas em dispositivos do estado sólido, especificamente para registros holográficos. Através da síntese do estado sólido, foi possível determinar um limite máximo de 20% utilizando uma forma estequiométrica de substituição. Considerando a não-estequiometria do sistema 'Bi IND. 12''Ti IND. (1-X)''Ga IND. X''O IND. 20' (BTGaO) foram obtidos pelo método de TSSG (Tpo Seed Solution Growth), utilizando como solvente excesso de 'Bi IND. 2''O IND. 3'. Cristais de boa qualidade óptica e estrutural foram crescidos utilizando-se taxas de puxamento de 0,2-0,3 mm/h e rotação de 5-30 rpm. Das medidas de composição dos cristais realizadas por microsonda (EDS) foi possível determinarmos o coeficiente de segregação efetivo do Ga em "Bi IND. 12''Ti''O IND. 20' como sendo maior que um. Por meio de análise térmica diferencial (DTA) foi possível verificar que a temperatura de fusão diminui de acordo com os diferentes níveis de substituição. Verificamos que a introdução do Ga na matriz de BTO aumenta a atividade óptica (BTO puro de 6,4'GRAUS'/mm; BTGaO-30% de substituição de 9,8'GRAUS'/mm) e para o BGaO nominalmente puro encontramos um valor da ordem de 150% maior (15,9'GRAUS'/mm). A corrente no escuro aumentou em quatro ordens de grandeza ('I IND. D'='10 POT. -9''ANGSTRON') em relação àquelapresente nos cristais de BTO nominalmente puro ('I IND. D'='10 POT. -13''ANGSTRON') enquanto nenhuma fotocorrente foi detectada. O coeficiente de absorção óptica diminuiu em todo espectro visível e o coeficiente eletroóptico não apresentou variação significativa (5,20pm/V para o BTO e 5,4 - 5,6pm/V para os cristais de BTGaO). A análise das propriedades ópticas indicam que os cristais de 'Bi IND. 12''Ti IND. (1-X)''Ga IND. X''O IND. 20' são inadequados ) para registros holográficos no vermelho. Porém sua maior transparência na região do espectro visível pode qualificá-lo como um novo meio para dispositivos optoeletrônicos
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 1998
- Data da defesa: 06.08.1998
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ABNT
LOBATO, Arilson Reges. Síntese, crescimento e caracterização de cristais de 'Bi IND. 12''Ti IND. (1-X)''Ga IND. X''O IND. 20' para aplicações em dispositivos optoeletrônicos. 1998. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1998. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-09122013-101217/. Acesso em: 08 out. 2024. -
APA
Lobato, A. R. (1998). Síntese, crescimento e caracterização de cristais de 'Bi IND. 12''Ti IND. (1-X)''Ga IND. X''O IND. 20' para aplicações em dispositivos optoeletrônicos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-09122013-101217/ -
NLM
Lobato AR. Síntese, crescimento e caracterização de cristais de 'Bi IND. 12''Ti IND. (1-X)''Ga IND. X''O IND. 20' para aplicações em dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 1998 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-09122013-101217/ -
Vancouver
Lobato AR. Síntese, crescimento e caracterização de cristais de 'Bi IND. 12''Ti IND. (1-X)''Ga IND. X''O IND. 20' para aplicações em dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 1998 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-09122013-101217/
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