Crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas para aplicação em dispositivos (1998)
- Authors:
- USP affiliated author: SPERANDIO, ALEXANDER LUZ - IF
- School: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho, estudamos o crescimento de camadas semicondutoras de compostos III-V pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE). Um grande esforço foi inicialmente realizado para entender o funcionamento do sistema inteiro e otimizar o uso de cada instrumento disponível para a caracterização in situ. Demos uma ênfase particular ao estudo da dopagem homogênea de camadas do tipo p usando duas novas técnicas e, pela primeira vez, obtivemos com sucesso camadas do tipo p crescidas pela co-evaporação de átomos de Si sobre susbtratos de GaAs (001). Finalmente, camadas de alta mobilidade eletrônica foram conseguidas, assim como espelhos de Bragg (DBRs) de alta refletividade. Estes dois tipos de estrutura possuem numerosas aplicações na indústria de microeletrônica e optoeletrônica
- Imprenta:
- Data da defesa: 16.04.1998
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ABNT
SPERANDIO, Alexander Luz; QUIVY, Alain André. Crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas para aplicação em dispositivos. 1998.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-18012017-101504/pt-br.php >. -
APA
Sperandio, A. L., & Quivy, A. A. (1998). Crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas para aplicação em dispositivos. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-18012017-101504/pt-br.php -
NLM
Sperandio AL, Quivy AA. Crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas para aplicação em dispositivos [Internet]. 1998 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-18012017-101504/pt-br.php -
Vancouver
Sperandio AL, Quivy AA. Crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas para aplicação em dispositivos [Internet]. 1998 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-18012017-101504/pt-br.php
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