O método adiabático hiperesférico para excitons ligados à impurezas doadoras em semicondutores (1998)
- Authors:
- Autor USP: SANTOS, ANTONIO SERGIO DOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Sigla do Departamento: FCM
- Assunto: FÍSICA MODERNA
- Language: Português
- Abstract: Energias de ligação para excitons ligados por impurezas doadoras no ZnSe e CdS são calculadas pelo Método Adiabático Hiperesférico. Os acoplamentos não adiabáticos são incluídos na equação radial levando a valores de energias menores que os valores variacionais encontrados na literatura. Estados ressonantes, similares a estados autoionizantes em átomos de dois elétrons, são obtidos acima do primeiro limiar de ionização elétron-impureza
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 1998
- Data da defesa: 27.03.1998
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ABNT
SANTOS, Antonio Sérgio dos. O método adiabático hiperesférico para excitons ligados à impurezas doadoras em semicondutores. 1998. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1998. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-22042014-154005/. Acesso em: 12 mar. 2026. -
APA
Santos, A. S. dos. (1998). O método adiabático hiperesférico para excitons ligados à impurezas doadoras em semicondutores (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-22042014-154005/ -
NLM
Santos AS dos. O método adiabático hiperesférico para excitons ligados à impurezas doadoras em semicondutores [Internet]. 1998 ;[citado 2026 mar. 12 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-22042014-154005/ -
Vancouver
Santos AS dos. O método adiabático hiperesférico para excitons ligados à impurezas doadoras em semicondutores [Internet]. 1998 ;[citado 2026 mar. 12 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-22042014-154005/
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