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Geometria, estabilidade e estrutura eletrônica das superfícies GaAs(001):Te InAs(001):Te (1998)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: SILVA, ROBERTO CLAUDINO DA - IF
  • Unidades: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
  • Language: Português
  • Abstract: Estudamos a adsorção de Te em superfície de GaAs(001) e InAs(001) com periodicidades 1x1, 1x2, 2x1 e 2x2, para as concentrações de telúrio 'Teta IND.Te'=0, 1/4, 1/2, 3/4 e 1. Realizamos cáculos dentro do formalismo do funcional da densidade empregando pseudopotenciais de norma conservada. Para a relaxação das estruturas empregamos a dinâmica molecular de Car e Parrinello. Nossos resultados apontam para uma redução na estabilidade das superfície na proporção em que aumenta a concentração de Te na superfície. A cobertura de As ('teta IND.Te'= 0) é energeticamente mais favorável que as recobertas com qualquer concentração de Te, tanto na superfície de GaAs(001) quanto na de InAs(001). Observou-se ainda nas superfícies com 'teta IND.Te'=0 e 'teta IND.Te'= 1, que a dimerização dos átomos de As é da ordem de 30% mais intensa que dos átomos de Te. Comparando as dimerizações de Te nas superfícies com concentrações 'teta IND.Te''> OU =' 1/2, observamos que elas são maiores sobre o InAs(001) (cédula terminada em In) que sobre o GaAs (001) (terminada em Ga). Outra tendência verificada é a "flutuação" do Te sobre as superfícies. Para uma mesma concentração verificamos a "preferência de adsorção" em sitios fora da cadeia de dímeros indicando uma adsorção monoatômica. Para concentração 'teta IND.Te' = 1 na superfície GaAs(001):Te-2x2 observamos duas geometrias possíveis: uma com cadeias de dímeros seguindo o modelo "dimer-row-missing" e outra com dois tipos de dímeros emposições alternadas ao longo da direção (-110). Analisando as energias de adsorção nas duas superfícies verificamos que a adsorção sobre o InAs é mais favorável que sobre o GaAs. Analisamos ainda a estrutura eletrônica das superfícies em todas as reconstruções e concentrações consideradas e verificamos ainda o caráter semicondutor das superfícies com concentração 'teta IND.Te' = 1/2
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 20.03.1998
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    • ABNT

      SILVA, Roberto Claudino da; FERRAZ, A. C. Geometria, estabilidade e estrutura eletrônica das superfícies GaAs(001):Te InAs(001):Te. 1998.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-12062012-131546/pt-br.php >.
    • APA

      Silva, R. C. da, & Ferraz, A. C. (1998). Geometria, estabilidade e estrutura eletrônica das superfícies GaAs(001):Te InAs(001):Te. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-12062012-131546/pt-br.php
    • NLM

      Silva RC da, Ferraz AC. Geometria, estabilidade e estrutura eletrônica das superfícies GaAs(001):Te InAs(001):Te [Internet]. 1998 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-12062012-131546/pt-br.php
    • Vancouver

      Silva RC da, Ferraz AC. Geometria, estabilidade e estrutura eletrônica das superfícies GaAs(001):Te InAs(001):Te [Internet]. 1998 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-12062012-131546/pt-br.php

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