The formation of nanostructures on silicon surfaces in the presence of hydrogen (1997)
- Authors:
- Autor USP: NUNES, LUIZ ANTONIO DE OLIVEIRA - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.119055
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Applied Physics Letters
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 70, n. 21, p. 2840-2842, 1997
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
TESCHKE, O. e SOARES, D. M. e NUNES, Luiz Antônio de Oliveira. The formation of nanostructures on silicon surfaces in the presence of hydrogen. Applied Physics Letters, v. 70, n. 21, p. 2840-2842, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.119055. Acesso em: 18 set. 2024. -
APA
Teschke, O., Soares, D. M., & Nunes, L. A. de O. (1997). The formation of nanostructures on silicon surfaces in the presence of hydrogen. Applied Physics Letters, 70( 21), 2840-2842. doi:10.1063/1.119055 -
NLM
Teschke O, Soares DM, Nunes LA de O. The formation of nanostructures on silicon surfaces in the presence of hydrogen [Internet]. Applied Physics Letters. 1997 ; 70( 21): 2840-2842.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.119055 -
Vancouver
Teschke O, Soares DM, Nunes LA de O. The formation of nanostructures on silicon surfaces in the presence of hydrogen [Internet]. Applied Physics Letters. 1997 ; 70( 21): 2840-2842.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.119055 - Observation of a Te4+ center with broad red emission band and high fluorescence quantumm [i. e. quantum] efficiency in TeO2-Li2O glass
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.119055 (Fonte: oaDOI API)
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