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Crescimento de cristais de Hg'I IND.2, Pb, ''I IND.2' e Pb 'I IND.2':Hg 'I IND.2' para aplicações em detetores de radiação ionizante (1997)

  • Authors:
  • Autor USP: ANDREETA, ÉRIKA REGINA MANOEL - IFSC
  • Unidade: IFSC
  • Sigla do Departamento: FCM
  • Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho realizamos o crescimento de monocristais de 'alfa'-'Hgl IND.2' e 'Pbl IND.2', utilizados na confecção de detetores de radiação ionizante (raio-x e raio gama) à temperatura ambiente, bem como o crescimento de 'Pbl IND.2':'Hgl IND.2' com composição nominal de 'Hgl IND.2' variando de 600 ppm até 50000 ppm. Utilizamos o método de sublimação repetida para a purificação do iodeto de mercúrio e o crescimento do mesmo foi realizado pelo método PVT - "Physical Vapor Transport". Cristais de 'Pbl IND.2' e 'Pbl IND.2':'Hgl IND.2' foram crescidos pelo método Bridgman. Apesar das diferentes estruturas cristalinas do 'Hgl IND.2' e 'Pbl IND.2', encontramos um limite de solutibilidade em torno de 600 ppm do iodeto de mercúrio no iodeto de chumbo. Através das medidas de fotoluminescência obtivemos informações sobre a pureza e qualidade cristalina das amostras obtidas. A largura da banda proibida dos cristais foi determinada através da absorção óptica, sendo de 2.10 e V para o 'Hgl IND.2' e por volta de 2.3 e V para o 'Pbl IND.2' e os cristais de 'Pbl IND.2':'Hgl IND.2'. Medimos também a condutividade elétrica em função da temperatura enm todas as amostras. O valor da condutividade elétrica à temperatura ambiente é de '10 POT.-13 'ômega' POT.-1 cm POT.-1' para o 'Hgl IND.2', '10 POT.-12 'ômega' POT.-1 cm POT.-1' para o 'Pbl IND.2' e varia entre '10 POT.-11' e '10 POT.-14 'ômega' POT.-1 cm POT.-1' para os cristais de 'Pbl IND.2':'Hgl IND.2'. Os cristais de 'Hgl IND.2'e 'Pbl IND.2' obtidos possuem boa qualidade cristalina, pureza, altos valores de largura de banda proibida e baixos valores de condutividade elétrica; qualidades necessárias para o bom desempenho em detetores de radiação ionizante
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 02.10.1997
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      MANOEL, Erika Regina; HERNANDES, Antônio Carlos. Crescimento de cristais de Hg'I IND.2, Pb, ''I IND.2' e Pb 'I IND.2':Hg 'I IND.2' para aplicações em detetores de radiação ionizante. 1997.Universidade de São Paulo, São Carlos, 1997. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-06122013-171513/pt-br.php >.
    • APA

      Manoel, E. R., & Hernandes, A. C. (1997). Crescimento de cristais de Hg'I IND.2, Pb, ''I IND.2' e Pb 'I IND.2':Hg 'I IND.2' para aplicações em detetores de radiação ionizante. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-06122013-171513/pt-br.php
    • NLM

      Manoel ER, Hernandes AC. Crescimento de cristais de Hg'I IND.2, Pb, ''I IND.2' e Pb 'I IND.2':Hg 'I IND.2' para aplicações em detetores de radiação ionizante [Internet]. 1997 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-06122013-171513/pt-br.php
    • Vancouver

      Manoel ER, Hernandes AC. Crescimento de cristais de Hg'I IND.2, Pb, ''I IND.2' e Pb 'I IND.2':Hg 'I IND.2' para aplicações em detetores de radiação ionizante [Internet]. 1997 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-06122013-171513/pt-br.php

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