Crescimento de 'In IND.0.52''Al IND.0.48' As e Í 'In IND.0.53''Ga IND.0.47' As sobre InP por MBE (1997)
- Authors:
- Autor USP: CHARCAPE, GALO EMILIO SISNIEGAS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Sigla do Departamento: FCM
- Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA; FILMES FINOS; MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho, a epitaxia por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy: MBE) foi utilizada para crescer estruturas de gases bidimensionais a base de 'In IND.0,53''Ga IND.0,47'As/'In IND.0,52''Al IND.0,48'As sobre substrato de fosfeto de índio(InP) e analisar suas propriedades estruturais, elétricas e óticas através de técnicas de caracterização, tais como efeito Hall, fotoluminescência (FL), Shubnikov-de Haas (SdH) e microscopia eletrônica de varredura (MEV). A calibração dos parâmetros de crescimento tais como a taxa de crescimento e a composição das ligas 'In IND.0,53''Ga IND.0,47'As e 'In IND.0,52''Al IND.0,48'As foi feita através da observação das oscilações da difração de elétrons de alta energia observado em reflexão (Reflection High-Energy Electron Difraction: RHEED). A densidade de dopante tipo n (em nosso caso, o silício) foi determinada posteriormente através de medidas de efeito Hall usando a técnica de Van der Pauw. Os resultados da fotoluminescência mostram uma transição doador-banda com largura a meia altura (Full Width ay Half Maximum: FWHM) de aproximadamente 23 meV,para a liga de 'In IND.0,52''Al IND.0,48'As. A formação de gás bidimensional nestas mesmas amostras tem sido observado indiretamente pela ocorrência de oscilações SdH
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 1997
- Data da defesa: 24.06.1997
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ABNT
SISNIEGAS CHARCAPE, Galo Emilio. Crescimento de 'In IND.0.52''Al IND.0.48' As e Í 'In IND.0.53''Ga IND.0.47' As sobre InP por MBE. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1997. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-14012009-094440/. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Sisniegas Charcape, G. E. (1997). Crescimento de 'In IND.0.52''Al IND.0.48' As e Í 'In IND.0.53''Ga IND.0.47' As sobre InP por MBE (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-14012009-094440/ -
NLM
Sisniegas Charcape GE. Crescimento de 'In IND.0.52''Al IND.0.48' As e Í 'In IND.0.53''Ga IND.0.47' As sobre InP por MBE [Internet]. 1997 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-14012009-094440/ -
Vancouver
Sisniegas Charcape GE. Crescimento de 'In IND.0.52''Al IND.0.48' As e Í 'In IND.0.53''Ga IND.0.47' As sobre InP por MBE [Internet]. 1997 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-14012009-094440/
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