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Crescimento de 'In IND.0.52''Al IND.0.48' As e Í 'In IND.0.53''Ga IND.0.47' As sobre InP por MBE (1997)

  • Authors:
  • Autor USP: CHARCAPE, GALO EMILIO SISNIEGAS - IFSC
  • Unidade: IFSC
  • Sigla do Departamento: FCM
  • Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA; FILMES FINOS; MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho, a epitaxia por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy: MBE) foi utilizada para crescer estruturas de gases bidimensionais a base de 'In IND.0,53''Ga IND.0,47'As/'In IND.0,52''Al IND.0,48'As sobre substrato de fosfeto de índio(InP) e analisar suas propriedades estruturais, elétricas e óticas através de técnicas de caracterização, tais como efeito Hall, fotoluminescência (FL), Shubnikov-de Haas (SdH) e microscopia eletrônica de varredura (MEV). A calibração dos parâmetros de crescimento tais como a taxa de crescimento e a composição das ligas 'In IND.0,53''Ga IND.0,47'As e 'In IND.0,52''Al IND.0,48'As foi feita através da observação das oscilações da difração de elétrons de alta energia observado em reflexão (Reflection High-Energy Electron Difraction: RHEED). A densidade de dopante tipo n (em nosso caso, o silício) foi determinada posteriormente através de medidas de efeito Hall usando a técnica de Van der Pauw. Os resultados da fotoluminescência mostram uma transição doador-banda com largura a meia altura (Full Width ay Half Maximum: FWHM) de aproximadamente 23 meV,para a liga de 'In IND.0,52''Al IND.0,48'As. A formação de gás bidimensional nestas mesmas amostras tem sido observado indiretamente pela ocorrência de oscilações SdH
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 24.06.1997
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      SISNIEGAS CHARCAPE, Galo Emilio; BASMAJI, Pierre. Crescimento de 'In IND.0.52''Al IND.0.48' As e Í 'In IND.0.53''Ga IND.0.47' As sobre InP por MBE. 1997.Universidade de São Paulo, São Carlos, 1997. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-14012009-094440/ >.
    • APA

      Sisniegas Charcape, G. E., & Basmaji, P. (1997). Crescimento de 'In IND.0.52''Al IND.0.48' As e Í 'In IND.0.53''Ga IND.0.47' As sobre InP por MBE. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-14012009-094440/
    • NLM

      Sisniegas Charcape GE, Basmaji P. Crescimento de 'In IND.0.52''Al IND.0.48' As e Í 'In IND.0.53''Ga IND.0.47' As sobre InP por MBE [Internet]. 1997 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-14012009-094440/
    • Vancouver

      Sisniegas Charcape GE, Basmaji P. Crescimento de 'In IND.0.52''Al IND.0.48' As e Í 'In IND.0.53''Ga IND.0.47' As sobre InP por MBE [Internet]. 1997 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-14012009-094440/

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