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A fotorefletância na caracterização de heteroestruturas e dispositivos de heteroestruturas semicondutoras (1997)

  • Authors:
  • Autor USP: SOARES, JÚLIO ANTÔNIO NIERI DE TOLEDO - IF
  • Unidade: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
  • Language: Português
  • Abstract: Desde a invenção do transistor de 1947, uma verdadeira revolução tecnológica trouxe à realidade dispositivos e fatos que, há pouco tempo, pareciam ser possíveis somente em livros e filmes de ficção científica. Para que este desenvolvimento acontecesse, uma intensa pesquisa dos materiais semicondutores conhecidos foi necessária, juntamente com uma incessante busca por novos materiais, melhor adaptados a aplicações específicas. Dentre as técnicas de caracterização usadas no estudo de materiais, estruturas e dispositivos semicondutores, a fotorefletância (FR) vem se tornando mais e mais importante, devido a sua versatilidade e baixo custo, características que fazem a FR apropriada para ser uma ferramenta de diagnóstico na linha de produção de uma fábrica de dispositivos com a mesma eficiência que é usada em laboratórios de pesquisa. Essa versatilidade da FR, juntamente com a comprovada habilidade na obtenção de importante parâmetros dos dispositivos foram os fatores que motivaram o presente trabalho. Nesta base nós demonstramos algumas das várias possibilidades da FR como técnica de caracterização de heteroestruturas semicondutoras e dispositivos baseados nestas estruturas. Na parte I, uma breve apresentação da FR é dada, mostrando os princípios físicos nos quais esta se baseia e detalhando sua implementação. Também é descrito, um método de cálculo de perfis de campo elétrico e espectros de FR, que possibilitam uma extensiva interpretação de resultadosexperimentais. Na parte II, os métodos teóricos e experimentais da parte I são aplicados. Começando com amostras de poços quânticos de InGaAs / GaAs, obtemos parâmetros importantes, como energias das transições inter sub-bandas de elétrons e buracos, composição de In na liga e o deslocamento de bandas para a heteroestrutura. Também verificamos as mudanças causadas nos espectros dessas estruturas pela inserção de um plano de cargas no meio do poço, como o ) encolhimento da energia da banda proibida. No caso de poços não dopados, podemos observar transições aos subníveis do poço, mesmo à temperatura ambiente, demonstrando a sensibilidade desta técnica. Ademais, apresentamos um estudo de poços quânticos assimétricos, feito através da
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 16.10.1997

  • How to cite
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    • ABNT

      SOARES, Julio Antonio Nieri de Toledo; ENDERLEIN, Erich Werner Rolf. A fotorefletância na caracterização de heteroestruturas e dispositivos de heteroestruturas semicondutoras. 1997.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997.
    • APA

      Soares, J. A. N. de T., & Enderlein, E. W. R. (1997). A fotorefletância na caracterização de heteroestruturas e dispositivos de heteroestruturas semicondutoras. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Soares JAN de T, Enderlein EWR. A fotorefletância na caracterização de heteroestruturas e dispositivos de heteroestruturas semicondutoras. 1997 ;
    • Vancouver

      Soares JAN de T, Enderlein EWR. A fotorefletância na caracterização de heteroestruturas e dispositivos de heteroestruturas semicondutoras. 1997 ;

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