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Semicondutores amorfos do grupo IV via simulação de Monte Carlo (1997)

  • Authors:
  • Autor USP: SILVA, JONATAN JOÃO DA - IF
  • Unidade: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Subjects: SIMULAÇÃO; SEMICONDUTORES
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho, apresentamos um estudo sistemático das propriedades estruturais e energéticas de materiais semicondutores amorfos do grupo IV ('alfa'-Si, 'alfa'-'Si IND.0,50''Ge IND.0,50', 'alfa'-Si/'alfa'-Ge e 'alfa'-Si:H), e da heteroestrutura cristalina c-Si/c-Ge. Utilizamos a técnica de simulação de Monte Carlo para gerar as estruturas. O estudo foi realizado no "ensemble" NPT, com os potenciais empiricos de Tersoff. Analisamos a função de distribuição radial, função de distribuição angular e, energia de formação nos sítios atômicos para todos os sistemas em diferentes temperaturas. Nossos resultados são bastante animadores, mostrando que potenciais empíricos podem ser utilizados no estudo de configurações complexas, ou como uma ótima inicialização de cálculo "ab-initio"
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 17.06.1997

  • How to cite
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    • ABNT

      SILVA, Jonatan João da; FAZZIO, Adalberto. Semicondutores amorfos do grupo IV via simulação de Monte Carlo. 1997.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997.
    • APA

      Silva, J. J. da, & Fazzio, A. (1997). Semicondutores amorfos do grupo IV via simulação de Monte Carlo. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Silva JJ da, Fazzio A. Semicondutores amorfos do grupo IV via simulação de Monte Carlo. 1997 ;
    • Vancouver

      Silva JJ da, Fazzio A. Semicondutores amorfos do grupo IV via simulação de Monte Carlo. 1997 ;

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