Atomic and electronic structures of te adsorbed on 'GA''AS' (100) and 'IN''AS' (100) (1996)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Surface Science
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.352-4, p.379-82, 1996
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ABNT
FERRAZ, A. C. e SILVA, R C. Atomic and electronic structures of te adsorbed on 'GA''AS' (100) and 'IN''AS' (100). Surface Science, v. 352-4, p. 379-82, 1996Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Ferraz, A. C., & Silva, R. C. (1996). Atomic and electronic structures of te adsorbed on 'GA''AS' (100) and 'IN''AS' (100). Surface Science, 352-4, 379-82. -
NLM
Ferraz AC, Silva RC. Atomic and electronic structures of te adsorbed on 'GA''AS' (100) and 'IN''AS' (100). Surface Science. 1996 ;352-4 379-82.[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Ferraz AC, Silva RC. Atomic and electronic structures of te adsorbed on 'GA''AS' (100) and 'IN''AS' (100). Surface Science. 1996 ;352-4 379-82.[citado 2024 abr. 23 ] - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
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