Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional (1996)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SUPERFÍCIE FÍSICA; CIRCUITOS ELETRÔNICOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Ifsc-Usp
- Publisher place: Sao Carlos
- Date published: 1996
- Source:
- Título: Resumos
- Conference titles: Simposio Interno da Pos-Graduacao do Ifsc
-
ABNT
MESSIAS, L G O e BASMAJI, Pierre. Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. 1996, Anais.. Sao Carlos: Ifsc-Usp, 1996. . Acesso em: 14 nov. 2025. -
APA
Messias, L. G. O., & Basmaji, P. (1996). Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. In Resumos. Sao Carlos: Ifsc-Usp. -
NLM
Messias LGO, Basmaji P. Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 14 ] -
Vancouver
Messias LGO, Basmaji P. Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 14 ] - Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs
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