Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional (1996)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SUPERFÍCIE FÍSICA; CIRCUITOS ELETRÔNICOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Ifsc-Usp
- Publisher place: Sao Carlos
- Date published: 1996
- Source:
- Título: Resumos
- Conference titles: Simposio Interno da Pos-Graduacao do Ifsc
-
ABNT
MESSIAS, L G O e BASMAJI, Pierre. Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. 1996, Anais.. Sao Carlos: Ifsc-Usp, 1996. . Acesso em: 14 jul. 2025. -
APA
Messias, L. G. O., & Basmaji, P. (1996). Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. In Resumos. Sao Carlos: Ifsc-Usp. -
NLM
Messias LGO, Basmaji P. Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. Resumos. 1996 ;[citado 2025 jul. 14 ] -
Vancouver
Messias LGO, Basmaji P. Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. Resumos. 1996 ;[citado 2025 jul. 14 ] - Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs
- Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso
- Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy
- Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe
- Transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity induced by magnetic field in the array of rings with small diameter
- Nano-scale wires of 'GA''AS ON POROUS 'si' grown by molecular beam epitaxy
- Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI'
- Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
- Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares
- Negative magnetoresistance in coupled quantum wells
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
