Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidades: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SUPERFÍCIE FÍSICA; CIRCUITOS ELETRÔNICOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Ifsc-Usp
- Place of publication: Sao Carlos
- Date published: 1996
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference title: Simposio Interno da Pos-Graduacao do Ifsc
-
ABNT
MESSIAS, L G O; BASMAJI, Pierre. Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. Anais.. Sao Carlos: Ifsc-Usp, 1996. -
APA
Messias, L. G. O., & Basmaji, P. (1996). Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. In Resumos. Sao Carlos: Ifsc-Usp. -
NLM
Messias LGO, Basmaji P. Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. Resumos. 1996 ; -
Vancouver
Messias LGO, Basmaji P. Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. Resumos. 1996 ; - Raman scattering of the optical '('GA''AS') IND. n'/ '('AL''AS') IND. n' superlattices grown on (311)A and (311)B surface
- Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI'
- Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
- Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares
- Capacitance measurement of resonant dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
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