Pd-mosfet transistor response to a step change in hydrogen concentration to environment with and 'N IND.2' + 'O IND.2' (1995)
- Authors:
- Autor USP: FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMIREZ - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Instituto de Informatica da Ufrgs
- Publisher place: Porto Alegre
- Date published: 1995
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: Congress of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
BARATTO, G e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Pd-mosfet transistor response to a step change in hydrogen concentration to environment with and 'N IND.2' + 'O IND.2'. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 19 fev. 2026. -
APA
Baratto, G., & Ramírez Fernandez, F. J. (1995). Pd-mosfet transistor response to a step change in hydrogen concentration to environment with and 'N IND.2' + 'O IND.2'. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs. -
NLM
Baratto G, Ramírez Fernandez FJ. Pd-mosfet transistor response to a step change in hydrogen concentration to environment with and 'N IND.2' + 'O IND.2'. Proceedings. 1995 ;[citado 2026 fev. 19 ] -
Vancouver
Baratto G, Ramírez Fernandez FJ. Pd-mosfet transistor response to a step change in hydrogen concentration to environment with and 'N IND.2' + 'O IND.2'. Proceedings. 1995 ;[citado 2026 fev. 19 ] - A neural network-based preset generation tool for a steel tandem cold mill
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