Electrical activation of potassium and phosphorus ions implanted in hydrogenated amorphous silicon (1993)
- Authors:
- Autor USP: FONSECA, FERNANDO JOSEPETTI - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1080/13642819308230222
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Philosophical Magazine B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.67, n.1 , p.107-15, 1993
- Este periódico possui versão em assinatura (ou híbrida)
- Este artigo NÃO possui versão em acesso aberto
-
Status: Nenhuma versão em acesso aberto identificada -
ABNT
FONSECA, Fernando Josepetti e GALLONI, R e NYLANDSTED LARSEN, A. Electrical activation of potassium and phosphorus ions implanted in hydrogenated amorphous silicon. Philosophical Magazine B, v. 67, n. 1 , p. 107-15, 1993Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1080/13642819308230222. Acesso em: 10 mar. 2026. -
APA
Fonseca, F. J., Galloni, R., & Nylandsted Larsen, A. (1993). Electrical activation of potassium and phosphorus ions implanted in hydrogenated amorphous silicon. Philosophical Magazine B, 67( 1 ), 107-15. doi:10.1080/13642819308230222 -
NLM
Fonseca FJ, Galloni R, Nylandsted Larsen A. Electrical activation of potassium and phosphorus ions implanted in hydrogenated amorphous silicon [Internet]. Philosophical Magazine B. 1993 ;67( 1 ): 107-15.[citado 2026 mar. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1080/13642819308230222 -
Vancouver
Fonseca FJ, Galloni R, Nylandsted Larsen A. Electrical activation of potassium and phosphorus ions implanted in hydrogenated amorphous silicon [Internet]. Philosophical Magazine B. 1993 ;67( 1 ): 107-15.[citado 2026 mar. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1080/13642819308230222 - An artificial taste sensor based on conducting polymers
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