Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso (1993)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1993
- Source:
- Título do periódico: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
BERNUSSI, A A; BASMAJI, Pierre; ROSSI, J C; MATVIENKO, B. Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso. Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. -
APA
Bernussi, A. A., Basmaji, P., Rossi, J. C., & Matvienko, B. (1993). Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Bernussi AA, Basmaji P, Rossi JC, Matvienko B. Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso. Programa e Resumos. 1993 ; -
Vancouver
Bernussi AA, Basmaji P, Rossi JC, Matvienko B. Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso. Programa e Resumos. 1993 ; - Growth and transport properties of 'IN''SB' on 'GA''AS' by molecular beam epitaxy
- Highlights and selected aspects of the development of molecular beam epitaxy: perspective and future directions
- Magnetic field tuned transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity in the array of 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' rings
- Magnetic-field-tuned impurity level in a mesoscopic 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' antidot sample
- Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy
- Magnetic field -induced localization in a two-dimensional array of quantum dots
- Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon
- Diode based on the 2d electron gas in an artificial, strongly disordered potential
- Surface phonon and 'E IND.1' gap shift observe in 'IN''AS' wire crystals on porous 'SI'
- Charge transfer between percolation levels in a system with an artificial , strongly disordered potential
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