Hole localization versus delocalization in symmetric molecular ions (1991)
- Authors:
- USP affiliated authors: MACHADO, WANDA VALLE MARCONDES - IF ; FERREIRA, LUIZ GUIMARAES - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physreva.43.3348
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Physical Review a
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.43, p.3348, 1991
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
KINTOP, J A e MACHADO, W M e FERREIRA, L G. Hole localization versus delocalization in symmetric molecular ions. Physical Review a, v. 43, p. 3348, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physreva.43.3348. Acesso em: 11 out. 2024. -
APA
Kintop, J. A., Machado, W. M., & Ferreira, L. G. (1991). Hole localization versus delocalization in symmetric molecular ions. Physical Review a, 43, 3348. doi:10.1103/physreva.43.3348 -
NLM
Kintop JA, Machado WM, Ferreira LG. Hole localization versus delocalization in symmetric molecular ions [Internet]. Physical Review a. 1991 ;43 3348.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physreva.43.3348 -
Vancouver
Kintop JA, Machado WM, Ferreira LG. Hole localization versus delocalization in symmetric molecular ions [Internet]. Physical Review a. 1991 ;43 3348.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physreva.43.3348 - Estados eletronicos do cu substitucional em zno determinados pelo metodo celular variacional cristalino linearizado
- Linearised variational cellular method
- Variational celular method for polyatomic molecules: 'SI''F IND.4' and 'SI''CL IND.4'
- Cluster calculations of 'ZN'o with 'CU' and 'NI' impurities
- First-principles calculations of the phase diagrams of noble metals: 'CU'-'AU', 'CU'-'AG', and 'AG'-'AU'
- First principles phase diagrams calculation of ii-vi semiconductor alloys
- Accurate prediction of the `Si/SiO IND.2´ interface band offset using the self-consistent ab initio DFT/LDA-1/2 method
- Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations
- Effect of chemical and elastic interactions on the phase diagram of isostructural solids
- Ordering of isovalent intersemiconductor alloys
Informações sobre o DOI: 10.1103/physreva.43.3348 (Fonte: oaDOI API)
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