Exciton binding energy in type-ii heterojunctions (1990)
- Authors:
- Autor USP: DEGANI, MARCOS HENRIQUE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1103/physrevb.42.11701
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.42, n.18, p.11701-7, 1990
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
DEGANI, Marcos Henrique e FARIAS, G A. Exciton binding energy in type-ii heterojunctions. Physical Review B, v. 42, n. 18, p. 11701-7, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.42.11701. Acesso em: 04 ago. 2025. -
APA
Degani, M. H., & Farias, G. A. (1990). Exciton binding energy in type-ii heterojunctions. Physical Review B, 42( 18), 11701-7. doi:10.1103/physrevb.42.11701 -
NLM
Degani MH, Farias GA. Exciton binding energy in type-ii heterojunctions [Internet]. Physical Review B. 1990 ;42( 18): 11701-7.[citado 2025 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.42.11701 -
Vancouver
Degani MH, Farias GA. Exciton binding energy in type-ii heterojunctions [Internet]. Physical Review B. 1990 ;42( 18): 11701-7.[citado 2025 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.42.11701 - Exciton states in quantum wells and superlattices
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.42.11701 (Fonte: oaDOI API)
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