Metalização por alumínio evaporado no vácuo aplicada a circuitos integrados monolíticos (1973)
- Authors:
- Autor USP: ELY, HELIO JOSE FONSECA - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Este trabalho tem por objetivo estudar duas etapas necessárias à produção de circuitos integrados monolíticos, pela técnica planar: a obtenção de um filme metálico sobre uma lâmina de silício e a otimização do contato elétrico entre esse filme, depois de fotogravado, e alguns pontos da lâmina. O filme foi obtido por evaporação, no vácuo, de alumínio, aquecido por processo resistivo. Foram estudados os seguintes parâmetros: temperatura do substrato, espessura, taxa de crescimento, granulação e aderência do filme depositado. A otimização dos contatos elétricos foi feita por um processo de recozimento. Foi estudado o efeito dos parâmetros, tempo e temperatura de recozimento sobre a formação dos contatos. Foram determinadas a resistência e a resistividade de contato entre alumínio e silício. Os resultados obtidos podem ser considerados bons para a fabricação de circuitos integrados.
- Imprenta:
- Data da defesa: 18.09.1973
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ABNT
ELY, Hélio José Fonseca. Metalização por alumínio evaporado no vácuo aplicada a circuitos integrados monolíticos. 1973. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1973. . Acesso em: 28 fev. 2026. -
APA
Ely, H. J. F. (1973). Metalização por alumínio evaporado no vácuo aplicada a circuitos integrados monolíticos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Ely HJF. Metalização por alumínio evaporado no vácuo aplicada a circuitos integrados monolíticos. 1973 ;[citado 2026 fev. 28 ] -
Vancouver
Ely HJF. Metalização por alumínio evaporado no vácuo aplicada a circuitos integrados monolíticos. 1973 ;[citado 2026 fev. 28 ]
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