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Estudo da formacao de filmes finos de di-siliceto de cobalto (1990)

  • Authors:
  • Autor USP: FREITAS, WILSON JOSE DE - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PEL
  • Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Language: Português
  • Abstract: Foi estudada a formacao de di-siliceto de cobalto ('CO''SI IND.2') a partir da deposicao do metal por pulverizacao catodica sobre um substrato de silicio monocristalino pouco dopado, seguido de recozimento em equipamento para processamento termico rapido. Foi apresentado um estudo da sequencia de fases formadas atraves de recozimentos em varias temperaturas. Obteve-se a formacao de 'CO''SI IND.2' uniforme e de baixa resistividade ('ANTIND.16 MI' 52cm) de rtp a 700'GRAUS'c por 12 segundos. A deposicao reativa de cobalto mostrou que a quantidade de impurezas no filme de cobalto pode ser expulsa, inibir ou acelerar a reacao dependendo de sua concentracao. A otimizacao da tecnica de deposicao permitiu produzir filmes de di-siliceto de cobalto no lsi da epusp com caracteristicas comparaveis aquelas reportadas na literatura internacional.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 17.09.1990

  • How to cite
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    • ABNT

      FREITAS, Wilson José; SWART, Jacobus Willibrordus. Estudo da formacao de filmes finos de di-siliceto de cobalto. 1990.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1990.
    • APA

      Freitas, W. J., & Swart, J. W. (1990). Estudo da formacao de filmes finos de di-siliceto de cobalto. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Freitas WJ, Swart JW. Estudo da formacao de filmes finos de di-siliceto de cobalto. 1990 ;
    • Vancouver

      Freitas WJ, Swart JW. Estudo da formacao de filmes finos de di-siliceto de cobalto. 1990 ;


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