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Fenômenos não-lineares em transistores de efeito de campo de microondas e sua aplicação a multiplicadores de frequencia (1986)

  • Authors:
  • Autor USP: CAMARGO, EDMAR - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PEL
  • Subjects: TRANSISTORES; TECNOLOGIA DE MICRO-ONDAS
  • Language: Português
  • Abstract: O propósito deste trabalho foi desenvolver uma sistemática de projeto de circuitos não-lineares, empregando transistores de efeito de campo com barreira Schottky em sua porta, com ênfase aos multiplicadores de frequência. Para atingir estes objetivos foram desenvolvidos métodos de caracterização do circuito equivalente não-linear do transistor e métodos de análise de circuitos não-lineares. A comprovação experimental destes objetivos foi realizada através do projeto e construção de alguns circuitos multiplicadores de frequência. O método de caracterização é baseado em um modelo quase-estático para o dispositivo o qual é determinado a partir de uma série de medidas dos parâmetros de espalhamento realizados na faixa de 0,1 a 1,0 GHz para diversas combinações das tensões de polarização. Os parâmetros diferenciais não-lineares resultantes deste processo são submetidos a um tratamento matemático para obtenção dos parâmetros globais, ou de grandes sinais do circuito equivalente não-linear do transistor. Um método de análise gráfica foi desenvolvido para explorar as interações entre os elementos não-lineares do transistor e o circuito externo, objetivando determinar as condições ótimas para a geração de harmônicas. A determinação do comportamento não-linear do transistor em frequência de micro-ondas requer o emprego de métodos de análise numérica. Com este objetivo desenvolveu-se um programa de computação que se fundamenta no princípio do balanceamento harmônico para determinar a resposta periódica de circuitos não-lineares nas frequências em que é válido o modelo não-linear do transistor. Uma filosofia de projeto de circuitos não-lineares foi estabelecida, a partir da síntese dos conhecimentos adquiridos anteriormente, a qual foi aplicada no projeto de multiplicadores de frequência. Obteve-se no caso do dobrador de 6 GHzpara 12 GHz, um ganho de multiplicação de 6 dB e uma potência de saída máxima de + 15dBm. No caso do triplicador de 4 GHz para 12 GHz obteve-se um ganho de multiplicação de 3 dB e uma potência máxima de + 8 dBm.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 30.04.1986

  • How to cite
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    • ABNT

      CAMARGO, Edmar; PINTO, José Kleber da Cunha. Fenômenos não-lineares em transistores de efeito de campo de microondas e sua aplicação a multiplicadores de frequencia. 1986.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1986.
    • APA

      Camargo, E., & Pinto, J. K. da C. (1986). Fenômenos não-lineares em transistores de efeito de campo de microondas e sua aplicação a multiplicadores de frequencia. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Camargo E, Pinto JK da C. Fenômenos não-lineares em transistores de efeito de campo de microondas e sua aplicação a multiplicadores de frequencia. 1986 ;
    • Vancouver

      Camargo E, Pinto JK da C. Fenômenos não-lineares em transistores de efeito de campo de microondas e sua aplicação a multiplicadores de frequencia. 1986 ;


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