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Aplicação da piezorrestividade do silício em transdutores de pressão (1991)

  • Authors:
  • Autor USP: CUSTÓDIO, MARIA CLÁUDIA CERCHIARI - IF
  • Unidade: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
  • Language: Português
  • Abstract: Em nosso trabalho estudamos a aplicação do efeito piezorresistivo do silício, na fabricação de transdutores de pressão. Desenvolvemos, inicialmente, um modelo teórico e o implementamos em computador. A partir do modelo,verificamos como os diversos parâmetros alteram a curva da calibração, e projetamos o transdutor para que opere numa faixa de -760 a +760 mm hg, na região de 20 a 80'GRAUS'C. Com os parâmetros estabelecidos pelo projeto,fabricamos os transdutores aliando as técnicas de microeletrônica, técnicas de corrosão química. Os transdutores são calibrados e apresentamos as comparações dos resultados com os comportamentos esperados a partir do modelo teorico
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 19.12.1991

  • How to cite
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    • ABNT

      CUSTÓDIO, Maria Cláudia Cerchiari; MARTINS, José Manuel de Vasconcelos. Aplicação da piezorrestividade do silício em transdutores de pressão. 1991.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1991.
    • APA

      Custódio, M. C. C., & Martins, J. M. de V. (1991). Aplicação da piezorrestividade do silício em transdutores de pressão. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Custódio MCC, Martins JM de V. Aplicação da piezorrestividade do silício em transdutores de pressão. 1991 ;
    • Vancouver

      Custódio MCC, Martins JM de V. Aplicação da piezorrestividade do silício em transdutores de pressão. 1991 ;


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