Desenvolvimento do modulo de baixo ruido de amplificadores a mesfet para recepcao de sinais via satelite (1988)
- Authors:
- Autor USP: YNOUE, EDSON ISSAO - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Subjects: AMPLIFICADORES; TELECOMUNICAÇÕES POR SATÉLITE
- Language: Português
- Abstract: Amplificadores de baixo ruído utilizando transistores a efeito de campo em Arseneto de Gálio (GaAs FET) integram, de forma crescente, as estações terrenas de recepção de sinais via satélite. O projeto de amplificadores com temperatura equivalente de ruído inferior a 80 k, realizado no Laboratório de Microeletrônica da USP, faz parte do Programa de Comunicações pór Satélite, com a coordenação da Telebrás. O desenvolvimento de métodos práticos para a implementação do Módulo de Baixo Ruído, que compõe os estágios iniciais desses amplificadores, é objeto deste trabalho. Projetado para operar na faixa de 3,7 a 4,2 GHz, o Módulo de Baixo Ruído é constituído de dois estágios de amplificação, construídos sobre substrato flexível de fibra de vidro-teflon, utilizando técnicas convencionais de fotolitografia tecnologia híbrida de elementos discretos e distribuídos. A fração de banda relativamente pequena (12%) permitiu, numa primeira aproximação, considerar o projeto apenas na frequência central, o que propiciou a síntese de redes de casamento simples e eficientes. Empregaram-se no projeto destas redes os parâmetros de espalhamento e de ruído típicos fornecidos pelos fabricantes dos transistores. Dois sistemas de medida de figura de ruído foram utilizados e são discutidos: o sistema automático com fonte de ruído a estado sólido e o sistema manual com carga quente/carga fria (Nitrogênio líquido). Os cuidados a serem observados em medidas de baixa figura de ruído de amplificadores são tratados em detalhe, sendo feita uma avaliação das incertezas associadas aos sistemas abordados. Descreve-se, também, uma metodologia de procedimentos experimentais adotada na fase de otimização dos circuitos, que utiliza, de forma conjugada, os sistemas manual e automático de medida.Os Módulos de Baixo Ruído assim desenvolvidos apresentaram ganhos de potência superiores a 25 dB e temperaturas equivalentes de ruído inferiores a até 70 K (Tambiente = 22°C).
- Imprenta:
- Data da defesa: 08.07.1988
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ABNT
YNOUE, Edson Issao. Desenvolvimento do modulo de baixo ruido de amplificadores a mesfet para recepcao de sinais via satelite. 1988. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 12 maio 2024. -
APA
Ynoue, E. I. (1988). Desenvolvimento do modulo de baixo ruido de amplificadores a mesfet para recepcao de sinais via satelite (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Ynoue EI. Desenvolvimento do modulo de baixo ruido de amplificadores a mesfet para recepcao de sinais via satelite. 1988 ;[citado 2024 maio 12 ] -
Vancouver
Ynoue EI. Desenvolvimento do modulo de baixo ruido de amplificadores a mesfet para recepcao de sinais via satelite. 1988 ;[citado 2024 maio 12 ]
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