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Tese

Modelos de grandes sinais para transistores HEMT aplicado à síntese de circuitos não lineares de microondas (1991)

  • Authors:
  • Autor USP: CORRERA, FATIMA SALETE - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PEL
  • Assunto: TRANSISTORES
  • Language: Português
  • Abstract: O tema central desta tese é o estudo do comportamento não-linear de transistores de efeito de campo empregando heteroestrutura de A1GaAs/GaAs com modulação de dopagem, denominados HEMTs. São apresentados o estado atual da arte e os fundamentos teóricos referentes a esse dispositivo. É proposto um modelo original para o HEEMT, que fornece uma representação unificada do dispositivo em DC e em micro-ondas, em regime de pequenos sinais e de grandes sinais. Descreve-se o equacionamento utilizado na implantação do modelo desenvolvido para HEMTs no simulador de circuitos SPICE. É apresentado um método para extração dos parâmetros do modelo proposto para HEMTs, bem como sua aplicação ao modelamento de um transistor comercialmente disponível. É realizada a comprovação do modelo, comparando-se resultados experimentais com os obtidos através do modelo do HEMT, relativos a características estáticas e ao desempenho do transistor na faixa de micro-ondas, tanto em operação linear, como não-linear. É proposto um novo método de síntese de circuitos não-lineares de micro-ondas, empregando o modelo não-linear desenvolvido para HEMTs e o simulador de circuitos SPICE. Discute-se a aplicação desse método de síntese a osciladores e multiplicadores de frequências, apresentando-se o projeto, realização e resultados experimentais de osciladores em 9 e 18 GHz e de dobrador de frequências de 6/12 GHz. Os resultados experimentais obtidos validaram o modelo do HEMT e o método de síntese de circuitos não lineares propostos nesta tese, apresentando características otimizadas, inéditas para esse dispositivo, destacando-se: geração de +14,5 dBm e eficiência de 30% - oscilador de 9 GHz, e ganho de multiplicação de 10 dB para o dobrador de frequências de 6/12 GHz.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 15.05.1991
    • Acesso à fonte
    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CORRERA, Fatima Salete. Modelos de grandes sinais para transistores HEMT aplicado à síntese de circuitos não lineares de microondas. 1991. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1991. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06032025-101629/pt-br.php. Acesso em: 02 mar. 2026.

    • APA

      Correra, F. S. (1991). Modelos de grandes sinais para transistores HEMT aplicado à síntese de circuitos não lineares de microondas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06032025-101629/pt-br.php

    • NLM

      Correra FS. Modelos de grandes sinais para transistores HEMT aplicado à síntese de circuitos não lineares de microondas [Internet]. 1991 ;[citado 2026 mar. 02 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06032025-101629/pt-br.php

    • Vancouver

      Correra FS. Modelos de grandes sinais para transistores HEMT aplicado à síntese de circuitos não lineares de microondas [Internet]. 1991 ;[citado 2026 mar. 02 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06032025-101629/pt-br.php

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