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Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa (1969)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: MARCONATO, ROBERTO - EP
  • Unidades: EP
  • Sigla do Departamento: PEL
  • Subjects: DIODOS
  • Language: Português
  • Abstract: A primeira fase deste trabalho refere-se à fabricação de diodos de túnel de arseneto de gálio. Fabricamos esse tipo de diodo a partir de material tipo p (contaminado com Zn), pelo método de liga (alloy). Utilizando esses dispositivos, refizemos as experiências de Anderson, e os resultados das mesmas foram confirmados. Como a degradação das características tensão-corrente está relacionada com a operação do diodo na região de “corrente de injeção”, procuramos uma “proteção” que não permitisse a degradação de suas características, mas que não impedisse a possibilidade de utilização do dispositivo em circuitos práticos. Verificamos que a colocação de um diodo comum de Si em paralelo com o diodo de túnel de AsGa, efetivamente previne a operação deste, no modo de injeção. Por extrapolação, previmos como sendo da ordem de 105 anos a vida útil provável de um diodo de túnel de arseneto de gálio, “protegido” por uma junção comum de Si, em funcionamento típico e desprezando outras causas e falhas. As teorias existentes sobre a degradação de diodos de túnel de AsGa, envolvem variações nas correntes de tunelamento e de excesso, devidas à criação de defeitos Frenkel. Usando o modelo proposto pelas teorias existentes, concluímos que deve existir uma recuperação das características I-V, após um período de sua degradação. Observamos e, discutindo qualitativamente o problema, caracterizamos essa recuperação.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 22.08.1969

  • How to cite
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    • ABNT

      MARCONATO, Roberto; ANDERSON, Richard Louis. Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa. 1969.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1969.
    • APA

      Marconato, R., & Anderson, R. L. (1969). Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Marconato R, Anderson RL. Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa. 1969 ;
    • Vancouver

      Marconato R, Anderson RL. Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa. 1969 ;


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