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Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras iii-v crescidas por epitaxia por feixes moleculares (1993)

  • Authors:
  • Autor USP: NOTARI, AIRTON CARLOS - IFQSC
  • Unidade: IFQSC
  • Sigla do Departamento: SFI
  • Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
  • Language: Português
  • Abstract: Amostras de semicondutores iii-v foram crescidas usando a tecnica de epitaxia por feixes moleculares. As propriedades eletricas das estruturas de 'GA''AS' com dopagem planar com silicio foram investigadas, e tambem a saturacao e a difusao do silicio nestas amostras. As propriedades opticas e eletricas das estruturas dopadas planarmente com selenio foram analisadas, usando as tecnicas de capacitancia-voltagem e a de tunelamento ressonante. As propriedades eletricas dos pocos quanticos a base de 'IN''GA''AS'/'GA''AS' foram investigadas, em funcao da posicao da impureza planarmente dopada com silicio
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 29.04.1993
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      NOTARI, Airton Carlos; BASMAJI, Pierre. Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras iii-v crescidas por epitaxia por feixes moleculares. 1993.Universidade de São Paulo, São Carlos, 1993. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-09032009-150110/ >.
    • APA

      Notari, A. C., & Basmaji, P. (1993). Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras iii-v crescidas por epitaxia por feixes moleculares. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-09032009-150110/
    • NLM

      Notari AC, Basmaji P. Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras iii-v crescidas por epitaxia por feixes moleculares [Internet]. 1993 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-09032009-150110/
    • Vancouver

      Notari AC, Basmaji P. Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras iii-v crescidas por epitaxia por feixes moleculares [Internet]. 1993 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-09032009-150110/

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