Threshold voltage extraction in Tunnel FETs (2014)
- Autores:
- Autores USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2013.12.010
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Idioma: Inglês
- Fonte:
- Título do periódico: Solid-State Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 93, p. 49-55, March 2014
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ORTIZ-CONDE, Adelmo et al. Threshold voltage extraction in Tunnel FETs. Solid-State Electronics, v. 93, p. 49-55, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.12.010. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Ortiz-Conde, A., Martino, J. A., Garcia- Sanchez, F. J., Muci, J., Martino, J. A., Agopian, P. G. D., & Claeys, C. (2014). Threshold voltage extraction in Tunnel FETs. Solid-State Electronics, 93, 49-55. doi:10.1016/j.sse.2013.12.010 -
NLM
Ortiz-Conde A, Martino JA, Garcia- Sanchez FJ, Muci J, Martino JA, Agopian PGD, Claeys C. Threshold voltage extraction in Tunnel FETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 93 49-55.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.12.010 -
Vancouver
Ortiz-Conde A, Martino JA, Garcia- Sanchez FJ, Muci J, Martino JA, Agopian PGD, Claeys C. Threshold voltage extraction in Tunnel FETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 93 49-55.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.12.010 - Influence of interface trap density on vertical NW-TFETs with different source composition
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2013.12.010 (Fonte: oaDOI API)
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