RTN assessment of traps in polysilicon cylindrical vertical FETs for NVM application (2013)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.mee.2013.03.019
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Microelectronic Engineering Volume 109, September 2013, Pages 105-108
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 109, p. 105-108, Sep 2013
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
CAÑO DE ANDRADE, Maria Glória et al. RTN assessment of traps in polysilicon cylindrical vertical FETs for NVM application. Microelectronic Engineering Volume 109, September 2013, Pages 105-108, v. 109, p. 105-108, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.019. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Caño de Andrade, M. G., Martino, J. A., Toledano, M., Fourati, F., Degraeve, R., Claeys, C., et al. (2013). RTN assessment of traps in polysilicon cylindrical vertical FETs for NVM application. Microelectronic Engineering Volume 109, September 2013, Pages 105-108, 109, 105-108. doi:10.1016/j.mee.2013.03.019 -
NLM
Caño de Andrade MG, Martino JA, Toledano M, Fourati F, Degraeve R, Claeys C, Simoen E, Van den Bosch G, Van Houdt J. RTN assessment of traps in polysilicon cylindrical vertical FETs for NVM application [Internet]. Microelectronic Engineering Volume 109, September 2013, Pages 105-108. 2013 ; 109 105-108.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.019 -
Vancouver
Caño de Andrade MG, Martino JA, Toledano M, Fourati F, Degraeve R, Claeys C, Simoen E, Van den Bosch G, Van Houdt J. RTN assessment of traps in polysilicon cylindrical vertical FETs for NVM application [Internet]. Microelectronic Engineering Volume 109, September 2013, Pages 105-108. 2013 ; 109 105-108.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.019 - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.mee.2013.03.019 (Fonte: oaDOI API)
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