Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada (2017)
- Authors:
- Autor USP: ZEIDAN, AHMAD AL - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR; FOTODETECTORES; INFRAVERMELHO
- Keywords: PONTOS QUÂNTICOS
- Language: Português
- Abstract: Nesse trabalho, foi investigado um novo tipo de fotodetector de radiação infravermelha baseado em pontos quânticos de submonocamada de InAs obtidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE, Molecular Beam Epitaxy). Suas propriedades foram comparadas com as de fotodetectores de pontos quânticos de InAs convencionais obtidos pela mesma técnica de deposição, mas no modo de crescimento Stranski-Krastanov. Medidas de corrente de escuro, de ruído, de responsividade e de absorção mostraram que, dependendo da estrutura das amostras, os dispositivos com pontos quânticos de submonocamada podem ter um excelente desempenho.
- Imprenta:
- Data da defesa: 03.10.2017
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ABNT
AL-ZEIDAN, Ahmad. Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10082018-145516/. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Al-Zeidan, A. (2017). Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10082018-145516/ -
NLM
Al-Zeidan A. Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada [Internet]. 2017 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10082018-145516/ -
Vancouver
Al-Zeidan A. Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada [Internet]. 2017 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10082018-145516/ - Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors
- Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector
- Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots
- Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots
- Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots
- The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells
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