Gate control of the spin mobility through the modification of the spin-orbit interaction in two-dimensional systems (2017)
- Autores:
- Autores USP: GUSEV, GENNADY - IF ; HERNANDEZ, FELIX GUILLERMO GONZALEZ - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/PhysRevB.95.245315
- Assuntos: SEMICONDUTORES; SPINTRÔNICA
- Palavras-chave do autor: ACOPLAMENTO GIRATÓRIO-ÓRBITA; GÁS ELETRÔNICO BIDIMENSIONAL; DIFUSÃO E PASSEIOS ALEATÓRIOS; EFEITO KERR MAGNETO-ÓPTICO
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Physical Review B
- ISSN: 2469-9950
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 95, n. 24, p. 245315/1-245315/6, 2017
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: hybrid
- Licença: publisher-specific-oa
-
ABNT
LUENGO-KOVAC, M et al. Gate control of the spin mobility through the modification of the spin-orbit interaction in two-dimensional systems. Physical Review B, v. 95, n. 24, p. 245315/1-245315/6, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.245315. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Luengo-Kovac, M., Moraes, F. C. D. de, Ferreira Junior, G., Ribeiro, A. S. L., Gusev, G. M., Bakarov, A. K., et al. (2017). Gate control of the spin mobility through the modification of the spin-orbit interaction in two-dimensional systems. Physical Review B, 95( 24), 245315/1-245315/6. doi:10.1103/PhysRevB.95.245315 -
NLM
Luengo-Kovac M, Moraes FCD de, Ferreira Junior G, Ribeiro ASL, Gusev GM, Bakarov AK, Sih V, Gonzalez Hernandez FG. Gate control of the spin mobility through the modification of the spin-orbit interaction in two-dimensional systems [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95( 24): 245315/1-245315/6.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.245315 -
Vancouver
Luengo-Kovac M, Moraes FCD de, Ferreira Junior G, Ribeiro ASL, Gusev GM, Bakarov AK, Sih V, Gonzalez Hernandez FG. Gate control of the spin mobility through the modification of the spin-orbit interaction in two-dimensional systems [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95( 24): 245315/1-245315/6.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.245315 - Tailoring multilayer quantum wells for spin devices
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Informações sobre o DOI: 10.1103/PhysRevB.95.245315 (Fonte: oaDOI API)
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