An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs (2016)
- Autores:
- Autor USP: ROMERO, MURILO ARAUJO - EESC
- Unidade: EESC
- DOI: 10.1109/TNANO.2016.2567323
- Assuntos: MECÂNICA QUÂNTICA; MODELOS MATEMÁTICOS; MODELOS ANALÍTICOS; SEMICONDUTORES; NANOELETRÔNICA; TRANSISTORES
- Palavras-chave do autor: COMPACT-MODEL; JUNCTION-LESS TRANSISTOR; NANOWIRE; QUANTUM WIRE
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Local: Piscataway, NJ, USA
- Data de publicação: 2016
- Fonte:
- Título do periódico: IEEE Transactions on Nanotechnology
- ISSN: 1536-125X
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 15, n. 4, p. 627-634, July 2016
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
RAGI, Regiane et al. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 15, n. 4, p. 627-634, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323. Acesso em: 25 set. 2024. -
APA
Ragi, R., Nobrega, R. V. T. da, Duarte, U. R., & Romero, M. A. (2016). An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, 15( 4), 627-634. doi:10.1109/TNANO.2016.2567323 -
NLM
Ragi R, Nobrega RVT da, Duarte UR, Romero MA. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2016 ; 15( 4): 627-634.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323 -
Vancouver
Ragi R, Nobrega RVT da, Duarte UR, Romero MA. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2016 ; 15( 4): 627-634.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323 - Analysis of a proposed dropping filter for WDM systems
- Implementação monolítica de Front-End optoeletrônico para redes ATM-PON utilizando a técnica WDM
- High tuning speed optical receiver front-end for packet-switched WDM networks
- Double pass erbium doped fiber amplifier with an embedded DCF module for L band DWDM applications
- An improved electronic selector circuit for WDM optical receivers in packet-switched pon networks
- Sealed liquid-core photonic crystal fibers for practical nonlinear optics, nanophotonics, and sensing applications
- 48.8 Km ultralong erbium fiber laser in active mode-locking operation
- Projeto e simulação de um isolador óptico a fibra
- S band EDFA using standard erbium doped fiber, 1450 nm pumping and single stage ASE filtering
- Cost-effective multi-functional EDFA for metropolitan area networks
Informações sobre o DOI: 10.1109/TNANO.2016.2567323 (Fonte: oaDOI API)
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
