Transporte eletrônico no grafeno (2014)
- Autor:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assuntos: FÍSICA; UNIVERSIDADE; ESTRUTURA ELETRÔNICA; FÍSICA
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: Editora Livraria da Física
- Local: São Paulo
- Data de publicação: 2014
- Fonte:
- Título do periódico: Instituto de Física da USP aos oitenta anos
-
ABNT
FAZZIO, Adalberto. Transporte eletrônico no grafeno. Instituto de Física da USP aos oitenta anos. Tradução . São Paulo: Editora Livraria da Física, 2014. . . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Fazzio, A. (2014). Transporte eletrônico no grafeno. In Instituto de Física da USP aos oitenta anos. São Paulo: Editora Livraria da Física. -
NLM
Fazzio A. Transporte eletrônico no grafeno. In: Instituto de Física da USP aos oitenta anos. São Paulo: Editora Livraria da Física; 2014. [citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Fazzio A. Transporte eletrônico no grafeno. In: Instituto de Física da USP aos oitenta anos. São Paulo: Editora Livraria da Física; 2014. [citado 2024 abr. 24 ] - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
- Terras raras em gap
- Estrutura eletronica e geometrica dos clusters de 'GA IND.N' 'AS IND.M' (n,m = 1-3)
- Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'
- Role played by n and n-n impurities in type-'IV' semiconductors
- Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7'
- Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS'
- Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan
- Optical transitions in ruby across the corundum to 'Rh IND.2''O IND.3' (II) phase transformation
- Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas