Atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlAs superlattices (1995)
- Autores:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: FÍSICA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Abstracts
- Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices - LDSD
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlAs superlattices. 1995, Anais.. Singapore: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1995. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Pusep, Y. A., Silva, S., Galzerani, J. C., Lubyshev, D. I., & Basmaji, P. (1995). Atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlAs superlattices. In Abstracts. Singapore: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. -
NLM
Pusep YA, Silva S, Galzerani JC, Lubyshev DI, Basmaji P. Atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlAs superlattices. Abstracts. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Pusep YA, Silva S, Galzerani JC, Lubyshev DI, Basmaji P. Atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlAs superlattices. Abstracts. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Heteroestruturas 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' com mobilidade 390 x'10 POT.3''CENTIMETROS QUADRADOS' / v.S crescidas por mbe
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