Experimental and Simulation of 1T-DRAM Trend with the Gate Length on UTBOX Devices (2013)
- Autores:
- Autores USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP ; SASAKI, KATIA REGINA AKEMI - EP ; NICOLETTI, TALITHA - EP
- Unidade: EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA (CONGRESSOS)
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Institut Superieur d'Électronique
- Local: Paris
- Data de publicação: 2013
- Fonte:
- Título do periódico: EUROSOI 2013
- Nome do evento: European Workshop on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits
-
ABNT
MARTINO, João Antonio et al. Experimental and Simulation of 1T-DRAM Trend with the Gate Length on UTBOX Devices. 2013, Anais.. Paris: Institut Superieur d'Électronique, 2013. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Martino, J. A., Nicoletti, T., Sasaki, K. R. A., Aoulaiche, M., Simoen, E., & Claeys, C. (2013). Experimental and Simulation of 1T-DRAM Trend with the Gate Length on UTBOX Devices. In EUROSOI 2013. Paris: Institut Superieur d'Électronique. -
NLM
Martino JA, Nicoletti T, Sasaki KRA, Aoulaiche M, Simoen E, Claeys C. Experimental and Simulation of 1T-DRAM Trend with the Gate Length on UTBOX Devices. EUROSOI 2013. 2013 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Martino JA, Nicoletti T, Sasaki KRA, Aoulaiche M, Simoen E, Claeys C. Experimental and Simulation of 1T-DRAM Trend with the Gate Length on UTBOX Devices. EUROSOI 2013. 2013 ;[citado 2024 abr. 24 ] - DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices
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