First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire (2013)
- Autores:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/PhysRevB.87.085428
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Local: College Park
- Data de publicação: 2013
- Fonte:
- Título do periódico: PHYSICAL REVIEW B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.87, n. 8, p. 085428, fev.2013
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
WRASSE, E O et al. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, v. fe2013, n. 8, p. 085428, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Wrasse, E. O., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2013). First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, fe2013( 8), 085428. doi:10.1103/PhysRevB.87.085428 -
NLM
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428 -
Vancouver
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428 - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
- Terras raras em gap
- Estrutura eletronica e geometrica dos clusters de 'GA IND.N' 'AS IND.M' (n,m = 1-3)
- Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'
- Role played by n and n-n impurities in type-'IV' semiconductors
- Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7'
- Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS'
- Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan
- Optical transitions in ruby across the corundum to 'Rh IND.2''O IND.3' (II) phase transformation
- Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin
Informações sobre o DOI: 10.1103/PhysRevB.87.085428 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 | PhysRevB.87.085428.pdf | Direct link |
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
